引線電容

   外殼的引線電容一般按照GB/T16526-19%《封裝引線間電容和引線負(fù)載電容測(cè)試方法》K4B2G0846B-HCK0中的測(cè)試方法測(cè)試。測(cè)試設(shè)備為電容測(cè)試儀,電容測(cè)試儀在1MHz頻率下進(jìn)行測(cè)試,將兩根同軸探針分別置于兩個(gè)被測(cè)引線的內(nèi)引出端上方約3mn處。將待測(cè)試引線周圍的其他引線連接在一起,并將屏蔽探針置于它們中任一引線的內(nèi)引出端,以保證這些引線不影響測(cè)量。引線電容的測(cè)試采用了加屏蔽的兩探針法,而且要求用于屏蔽連接的絕緣線線徑大于等于仞。01rllm,同軸電纜長度不大于1m,要求電容計(jì)的精度為±2%,量程為OpF~100pF,由于外引線間存在寄生電容,它會(huì)影響引線電容測(cè)試的準(zhǔn)確性,所以外引線應(yīng)盡可能短。

   從外殼引線的基本結(jié)構(gòu)出發(fā),兩根平行的金屬引線構(gòu)成了電容的兩個(gè)極板,形成引線分布電容,根據(jù)高斯定理,兩引線間的電容量為,C是兩引線間電容量(pF),￡為引線長度(cm),ε為兩引線間絕緣體的介電常

數(shù),D為兩引線問的距離(cm)。由上式可知,介電常數(shù)ε、引線長度z、引線間距D、引線半徑R是影響引線電容的主要因數(shù)。其中z、ε、R越小,D越大,引線電容就越小。封裝電路處于高頻工作時(shí),若封裝引線所形成的分布電容過大,可能會(huì)導(dǎo)致電路信號(hào)產(chǎn)生短路、串?dāng)_、自激、自擾等一系列影響電路正常工作的不利現(xiàn)象,從而使電路的損耗加大、功率增益下降、噪聲增大。所以在設(shè)計(jì)外殼時(shí)要使其引線間電容越小越好。