靜電放電時(shí),通常通過以下4種方式影響電子設(shè)各:

    (1)初始的電場(chǎng)能容性耦合到表面積較大的網(wǎng)絡(luò)上,并在離ESD電弧100mm處產(chǎn)生高達(dá)數(shù)千伏每米的高電場(chǎng)。

   (2)電弧注入的電荷、 F0512S-1W電流可以產(chǎn)生以下的損壞和故障:①穿透元器件的內(nèi)部薄絕緣層,損毀MOsFET和CMOS的元器件柵極;②CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;③短路反偏的PN結(jié);④短路正向偏置的PN結(jié);⑤熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。

   (3)電流會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)體上產(chǎn)生電壓脈沖(σ=Ldj/d莎),這些導(dǎo)體可能是電源、地或信號(hào)線,這些電壓脈沖將進(jìn)入與這些網(wǎng)絡(luò)相連的每一個(gè)元器件。

   (4)電弧會(huì)產(chǎn)生一個(gè)頻率范圍在I~500MHz的強(qiáng)磁場(chǎng),并感性耦合到鄰近的每個(gè)布線環(huán)路中,在離ESD電弧100mm遠(yuǎn)處的地方產(chǎn)生高達(dá)數(shù)十安每米的磁場(chǎng)。電弧輻射的電磁場(chǎng)會(huì)耦合到長(zhǎng)的信號(hào)線上,這些信號(hào)線起到了接收天線的作用。

   在進(jìn)行電源端口±2kⅤ、信號(hào)端口±1kⅤ的電快速瞬變脈沖群(EFT/B)測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn),當(dāng)P1、P2、P3同時(shí)接地時(shí),測(cè)試均不能通過;當(dāng)只有P1接地時(shí),電源口的E田/B測(cè)試可以通過,信號(hào)電纜1與信號(hào)電纜2測(cè)試均不能通過;當(dāng)Pl、P2接地、P3不接地時(shí),電源口與信號(hào)電纜1(屏蔽電纜)的EFT/B壩刂試可以通過,但是信號(hào)電纜2(屏蔽電纜)的EFT/B測(cè)試不能通硭;當(dāng)Pl、P3接地、P2不接地時(shí),電源口與信號(hào)電纜2的EFT/B測(cè)試可以通過,但是信號(hào)電纜3的Er'/B測(cè)試不能通過;當(dāng)P1、P2、P3都接地時(shí),所有端口的EFT/B測(cè)試不能通過。

   對(duì)于本案例出現(xiàn)問題的解釋,完全可以參考案例10,只是這里出現(xiàn)的是螺釘而非DB連接器。

   去除絕緣漆,使靜電泄放通道保持良好的電連續(xù)性。實(shí)踐證明,具有長(zhǎng)寬比小于5,且沒有任何縫隙、通孔的單一金屬導(dǎo)體具有良好的電連續(xù)性。

   (1)接地導(dǎo)體的電連續(xù)性設(shè)計(jì)對(duì)提高系統(tǒng)的抗ESD能力極為重要。

   (2)ESD定位中,在金屬搭接點(diǎn)測(cè)試中出現(xiàn)問題,首先要檢查搭接是否良好。

   (3)噴漆導(dǎo)致電連續(xù)性不好是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝處理中EMC的常見問題。從這方面來講,產(chǎn)品良好的EMC特性,不僅是設(shè)計(jì)出來的,還包括工藝、生產(chǎn)、流程等。