一個背靠背的高壓開關(guān)雙路冗余模擬單端正弦/余弦輸出
發(fā)布時間:2022/7/24 0:02:43 訪問次數(shù):447
Han-Modular® 多米諾模塊,不僅節(jié)省50%空間,實現(xiàn)重量減重并最終減少CO2排放,而且能夠滿足多元化的連接需求,提供更多拓展、優(yōu)化的可能性,將模塊化工業(yè)連接器提升到全新水平。
100 V、7 mΩ、160 APulsed的耐輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2,其總劑量等級大于1Mrad,線性能量轉(zhuǎn)移(LET)的單一事件效應(yīng)(SEE)抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。
受益于具備優(yōu)越電氣和耐輻射性能的EPC7004的應(yīng)用包括DC/DC電源、電機驅(qū)動、激光雷達(dá)、深層探測以及用于航天應(yīng)用、衛(wèi)星和航空電子設(shè)備的離子推進(jìn)器。其他耐輻射產(chǎn)品包括40V至200V的氮化鎵產(chǎn)品可供選擇。
TAS4240 TMR技術(shù)的角度傳感器,為其隧道磁阻(TMR)角度傳感器產(chǎn)品組合再添新成員。TAS4240采用緊湊型TSSOP8封裝,提供雙路冗余模擬單端正弦/余弦輸出。該傳感器能夠在空間有限且需要高性能的應(yīng)用條件中實現(xiàn)精確的角度測量。
作為一款360°角度傳感器,TAS4240非常適合于精確測量關(guān)鍵安全應(yīng)用中BLDC電機的轉(zhuǎn)子位置,如動力轉(zhuǎn)向、制動助力器或牽引電機。
在溫度波動的情況下,以及在傳感器使用壽命的各個階段,傳感器的角度精度可以保持穩(wěn)定。TAS4240在擴展磁場范圍內(nèi)的確定性行為表現(xiàn)開啟了其新的應(yīng)用可能性,即便在苛刻的環(huán)境中也適用。
此款FET提供ESD保護型柵極快速開關(guān),以及-55°C至+150°C的工作結(jié)溫。MMBT7002K FET具有350mW功耗、20V柵-源電壓和60V漏-源電壓。
HL5099在VBUS和VCHG引腳之間采用一個背靠背的高壓開關(guān)(HVSW),這兩個引腳的最高耐壓(AMR)是28V。這個集成電源開關(guān)也可以適當(dāng)配置成I2C控制或使能用途的雙向開關(guān)。
它具有Transphorm一流的可靠性、柵極穩(wěn)健性(±20 Vmax)和抗硅噪聲閾值(4V),以及氮化鎵技術(shù)所具備的易設(shè)計性和驅(qū)動性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面貼裝封裝需求。與PQFN封裝相比,D2PAK可以實現(xiàn)更好的熱性能,同時幫助用戶通過單一的制造流程提高PCB組裝效率。
Han-Modular® 多米諾模塊,不僅節(jié)省50%空間,實現(xiàn)重量減重并最終減少CO2排放,而且能夠滿足多元化的連接需求,提供更多拓展、優(yōu)化的可能性,將模塊化工業(yè)連接器提升到全新水平。
100 V、7 mΩ、160 APulsed的耐輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2,其總劑量等級大于1Mrad,線性能量轉(zhuǎn)移(LET)的單一事件效應(yīng)(SEE)抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。
受益于具備優(yōu)越電氣和耐輻射性能的EPC7004的應(yīng)用包括DC/DC電源、電機驅(qū)動、激光雷達(dá)、深層探測以及用于航天應(yīng)用、衛(wèi)星和航空電子設(shè)備的離子推進(jìn)器。其他耐輻射產(chǎn)品包括40V至200V的氮化鎵產(chǎn)品可供選擇。
TAS4240 TMR技術(shù)的角度傳感器,為其隧道磁阻(TMR)角度傳感器產(chǎn)品組合再添新成員。TAS4240采用緊湊型TSSOP8封裝,提供雙路冗余模擬單端正弦/余弦輸出。該傳感器能夠在空間有限且需要高性能的應(yīng)用條件中實現(xiàn)精確的角度測量。
作為一款360°角度傳感器,TAS4240非常適合于精確測量關(guān)鍵安全應(yīng)用中BLDC電機的轉(zhuǎn)子位置,如動力轉(zhuǎn)向、制動助力器或牽引電機。
在溫度波動的情況下,以及在傳感器使用壽命的各個階段,傳感器的角度精度可以保持穩(wěn)定。TAS4240在擴展磁場范圍內(nèi)的確定性行為表現(xiàn)開啟了其新的應(yīng)用可能性,即便在苛刻的環(huán)境中也適用。
此款FET提供ESD保護型柵極快速開關(guān),以及-55°C至+150°C的工作結(jié)溫。MMBT7002K FET具有350mW功耗、20V柵-源電壓和60V漏-源電壓。
HL5099在VBUS和VCHG引腳之間采用一個背靠背的高壓開關(guān)(HVSW),這兩個引腳的最高耐壓(AMR)是28V。這個集成電源開關(guān)也可以適當(dāng)配置成I2C控制或使能用途的雙向開關(guān)。
它具有Transphorm一流的可靠性、柵極穩(wěn)健性(±20 Vmax)和抗硅噪聲閾值(4V),以及氮化鎵技術(shù)所具備的易設(shè)計性和驅(qū)動性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面貼裝封裝需求。與PQFN封裝相比,D2PAK可以實現(xiàn)更好的熱性能,同時幫助用戶通過單一的制造流程提高PCB組裝效率。
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