SMART SafeDATA™斷電數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)最大限度降低能耗
發(fā)布時(shí)間:2022/7/28 23:11:14 訪問次數(shù):176
新一代DuraFlash™MP3000 PCIe NVMe SSD產(chǎn)品組合,提供包含M.2 2280,M.2 22110及E1. S三種外形尺寸可供選擇。新型SSD同時(shí)支持工業(yè)寬溫(-40°C ~ 85°C)及商業(yè)溫度(0°C ~ 70°C) 等級(jí),并提供搭載SMART SafeDATA™斷電數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)的版本,可從容面對(duì)電源波動(dòng)與意外斷電事故。
新系列DuraFlash PCIe NVMe SSD ,以幫助客戶導(dǎo)入新一代PCIe Gen4x4產(chǎn)品。MP3000系列提供三種外形尺寸,搭配從240GB到1920GB的容量組合,符合工業(yè)和企業(yè)級(jí)運(yùn)用環(huán)境所需,提供服務(wù)器及客戶端平臺(tái)更多存儲(chǔ)方案選項(xiàng)。
MP3000系列提供最高3500MB/s順序讀取和2000MB/s 順序?qū)慳入速度,同時(shí)符合NVMe v1.4規(guī)范,并支持命名空間管理(最多16個(gè)命名空間)、 帶外NVMe-MI管理接口,以及512字節(jié)與4096字節(jié)LBA格式等企業(yè)級(jí)SSD功能。
GTX系列金屬外殼三相濾波器。該系列滿足了對(duì)EMI-RFI濾波器日益增長的需求,借此即可抑制通用逆變器和醫(yī)療電源中的電磁傳導(dǎo)噪聲。
KEMET GTX金屬外殼濾波器可滿足具有各種特性的三相EMC要求。這些濾波器采用納米晶磁芯制作,以緊湊的尺寸實(shí)現(xiàn)了出色的阻尼和衰減特性,并具有更寬的頻率范圍。此外,還可以選擇六種不同的Y電容器組合,從而支持各種設(shè)備拓?fù)洹?/span>
這些濾波器是業(yè)內(nèi)容積效率最高的濾波器。由于其高機(jī)械密度,它們結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕,而對(duì)于抑制EMC至關(guān)重要的工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用,亦是理想選擇。
RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高負(fù)載開關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低,從而增強(qiáng)可穿戴設(shè)備的用戶舒適度。
在VGS=4.5V時(shí),PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此,在市場上類似的30V MOSFET中,PMCB60XN和PMCB60XNE單個(gè)芯片面積導(dǎo)通電阻最低。
此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中,還可提供額定2kV ESD保護(hù)(人體模型 – HBM)。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。
新一代DuraFlash™MP3000 PCIe NVMe SSD產(chǎn)品組合,提供包含M.2 2280,M.2 22110及E1. S三種外形尺寸可供選擇。新型SSD同時(shí)支持工業(yè)寬溫(-40°C ~ 85°C)及商業(yè)溫度(0°C ~ 70°C) 等級(jí),并提供搭載SMART SafeDATA™斷電數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)的版本,可從容面對(duì)電源波動(dòng)與意外斷電事故。
新系列DuraFlash PCIe NVMe SSD ,以幫助客戶導(dǎo)入新一代PCIe Gen4x4產(chǎn)品。MP3000系列提供三種外形尺寸,搭配從240GB到1920GB的容量組合,符合工業(yè)和企業(yè)級(jí)運(yùn)用環(huán)境所需,提供服務(wù)器及客戶端平臺(tái)更多存儲(chǔ)方案選項(xiàng)。
MP3000系列提供最高3500MB/s順序讀取和2000MB/s 順序?qū)慳入速度,同時(shí)符合NVMe v1.4規(guī)范,并支持命名空間管理(最多16個(gè)命名空間)、 帶外NVMe-MI管理接口,以及512字節(jié)與4096字節(jié)LBA格式等企業(yè)級(jí)SSD功能。
GTX系列金屬外殼三相濾波器。該系列滿足了對(duì)EMI-RFI濾波器日益增長的需求,借此即可抑制通用逆變器和醫(yī)療電源中的電磁傳導(dǎo)噪聲。
KEMET GTX金屬外殼濾波器可滿足具有各種特性的三相EMC要求。這些濾波器采用納米晶磁芯制作,以緊湊的尺寸實(shí)現(xiàn)了出色的阻尼和衰減特性,并具有更寬的頻率范圍。此外,還可以選擇六種不同的Y電容器組合,從而支持各種設(shè)備拓?fù)洹?/span>
這些濾波器是業(yè)內(nèi)容積效率最高的濾波器。由于其高機(jī)械密度,它們結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕,而對(duì)于抑制EMC至關(guān)重要的工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用,亦是理想選擇。
RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高負(fù)載開關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低,從而增強(qiáng)可穿戴設(shè)備的用戶舒適度。
在VGS=4.5V時(shí),PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此,在市場上類似的30V MOSFET中,PMCB60XN和PMCB60XNE單個(gè)芯片面積導(dǎo)通電阻最低。
此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中,還可提供額定2kV ESD保護(hù)(人體模型 – HBM)。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。
熱門點(diǎn)擊
- LTE網(wǎng)絡(luò)所要求的最高150兆比特每秒的網(wǎng)絡(luò)
- 一個(gè)背靠背的高壓開關(guān)雙路冗余模擬單端正弦/余
- 使用電感電容測試儀檢測電感線圈的操作方法
- 串聯(lián)電路的開關(guān)不管在任何位置都是控制整個(gè)電路
- 中功率準(zhǔn)諧振ZVS開關(guān)時(shí)零電壓開關(guān)反激轉(zhuǎn)換器
- 驅(qū)動(dòng)VCOM背板具有±150mA的短路電流和
- 額定電流為工作電路通過電流量的1.5倍~2倍
- 80dB CMRR的1V變化導(dǎo)致0.1mV偏
- 4字節(jié)突發(fā)讀寫操作總線速度高于其他非易失性存
- SMART SafeDATA™斷
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