10nm工藝的產(chǎn)品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。除了以上產(chǎn)品之外，采用第二代10nm工藝的芯片，也就是三星所說的10LPP工藝。

未來，第三代10nm工藝的芯片（10LPU）。10LPP工藝比現(xiàn)有的10LPE工藝提高了10%左右的性能。

三星電子前不久對(duì)外公布了晶片發(fā)展規(guī)劃，三星第一代10納米FinFETLPE制程,當(dāng)然基本都是提供給高通S835和三星Exynos8895使用，按照目前三星的計(jì)畫備貨量來看，其10nm的良率僅有70%左右，遠(yuǎn)不及臺(tái)積電的85%以上的良率，但是驍龍835的和8895的進(jìn)度遠(yuǎn)高于聯(lián)發(fā)科的x30，這使得臺(tái)積電在名義上落后于三星。

這種新的GPS技術(shù)在城市當(dāng)中可提供巨大幫助，因?yàn)樗�可以避免由信�?hào)被大型建筑反射所引發(fā)的種種問題。GPS在人口密集的城市區(qū)域中精度較低，因此城市居民可能會(huì)是新一代GPS芯片最大的受益者。

RS-485總線芯片的選型RS-485接口已廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、儀器、儀表、多媒體網(wǎng)絡(luò)、機(jī)電一體化產(chǎn)品等諸多領(lǐng)域�？捎糜赗S-485接口的芯片種類也越來越多。

如何在種類繁多的接口芯片中找到最合適的芯片，是擺在每一個(gè)使用者面前的一個(gè)問題。RS-485接口在不同的使用場(chǎng)合，對(duì)芯片的要求和使用方法也有所不同。使用者在芯片的選型和電路的設(shè)計(jì)上應(yīng)考慮哪些因素，下面將給出這方面的一些經(jīng)驗(yàn)總結(jié)。

節(jié)點(diǎn)數(shù)即每個(gè)RS-485接口芯片的驅(qū)動(dòng)器能驅(qū)動(dòng)多少個(gè)標(biāo)準(zhǔn)RS-485負(fù)載。根據(jù)規(guī)定，標(biāo)準(zhǔn)RS-485接口的輸入阻抗為≥12kΩ，相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)數(shù)為32。

為適應(yīng)更多節(jié)點(diǎn)的通信場(chǎng)合，有些芯片的輸入阻抗設(shè)計(jì)成1/2負(fù)載（≥24kΩ）、1/4負(fù)載（≥48kΩ）甚至1/8負(fù)載（≥96kΩ），相應(yīng)的節(jié)點(diǎn)數(shù)可增加到64、128和256。下圖為一些常見芯片的節(jié)點(diǎn)數(shù)。