3G應(yīng)用的W-CDMA/UMTS單片RF收發(fā)器以及用于PC和服務(wù)器的DRAM新型存儲器，第二代DDR(DDR2)存儲器產(chǎn)品。

現(xiàn)在可提供512MbDDR2 SDRAM樣品。它的數(shù)據(jù)速率可達到400Mbps,533Mbps 和677Mbps。存儲器模塊可采用533Mbps速率來設(shè)計，帶寬達到4.3GBps。

它的低電流消耗能進一步增加新型3G手機的待機時間和通話時間。該高集成度的芯片，和采用獨立的接收器/發(fā)送器相比，大大地減少了元件數(shù)和PCB的空間。它采用零差結(jié)構(gòu)，極大地簡化了頻率編制，消除了IF級和由此需要的SAW濾波器。它是40引腳P-VQFN封裝，間距0.5mm。

ADN2849有3V單端輸出，驅(qū)動電吸收調(diào)制器。ADN2859有6V峰-峰差分輸出，驅(qū)動Mach-Zehnder調(diào)制器。兩種IC驅(qū)動器的功耗為900mW(2V擺幅，1V失調(diào))，是其它解決方案的1/3。兩種器件是小型4x4mm LFCSP封裝。

與反激式轉(zhuǎn)換器一樣，雙開關(guān)正激式轉(zhuǎn)換器僅使用一個磁極。LLC轉(zhuǎn)換器同時使用兩者，因此在所有條件相同的情況下，對于給定的功率水平，它通常更小。

TPS54680由于集成了所有需要的有源元件，因而有最高的性能。SWIFT DC/DC轉(zhuǎn)換器TPS54x80系列有兩個能在整個工作溫度范圍內(nèi)連續(xù)提供高達9A輸出電流的MOSFET。

轉(zhuǎn)換器能把電壓調(diào)整到像0.891V那樣低，采用TRACKIN引腳和復(fù)接器能實現(xiàn)三種不同次序方法：瞬時，順序或比例順序。

TPS54x80 SWIFT轉(zhuǎn)換器的主要性能有：用于先后順序的加電/下電掃描；低Rds(on)同步降壓MOSFET開關(guān)，能在滿負載時有高效率；PWM頻率寬，固定頻率為350kHz，可調(diào)從280kHz 到700kHz；功率良好狀態(tài)和使能功能；峰值電流限制和熱關(guān)斷，以保護負載。

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