RF晶體管低噪音放大器和用于移動無線基站單片微波集成電路

發(fā)布時間:2022/10/7 22:29:59 訪問次數(shù):121

SiGe雙極工藝很適合各種高速模擬和數(shù)字方面的應(yīng)用，如Gbps數(shù)據(jù)通信和寬帶無線應(yīng)用或微波產(chǎn)品。動態(tài)頻率分頻器的分頻比例為2，最大輸入頻率為110GHz。該電路的工作電壓為5V，消耗電流62mA。而靜態(tài)分頻器(分頻比例為32)的最大輸入頻率為86GHz，工作電壓為5V，消耗電流僅為180mA。

建造高頻收發(fā)器的關(guān)鍵元件是壓控振蕩器(VCO)。開發(fā)和制造了工作在95-98GHz的VCO，在1MHz載波偏移頻率下相位噪音僅為-97dBc/Hz。輸出功率為-6dBm，5V工作時的電流為很低的12mA。

SiGe工藝是一種證明成熟的有70GHz 的fT工藝，所生產(chǎn)的產(chǎn)品包括有RF晶體管，低噪音放大器和用于移動無線基站的單片微波集成電路。

通用包接口支持工作在104MHz的8位，16位和32位，采用LVTTL I/O電平或在208MHz下采用HSTL I/O電平；

用于以太網(wǎng)MAC或GPI接口的專用多通道DMA。

提供200MHz SysAD接口，用于寬帶寬的連接；

提供33MHz局部總線接口，用于連接到引導(dǎo)和配置設(shè)備。

其它特性：

提供8KB集成的低等待時間的草稿用的RAM；

提供片內(nèi)EJTAG調(diào)試模塊,保證硬件和軟件容易調(diào)試,還提供跟蹤緩沖器,允許執(zhí)行調(diào)試用的跟蹤指令；

提供靈活的4通道DMA控制架構(gòu)，給任何區(qū)塊提供DMA，支持分散/聚合和外部DMA的請求；

提供矢量的按優(yōu)先次序的中斷控制器，支持256個優(yōu)先次序的中斷和可編中斷遞送模式，用于內(nèi)部處理器以及外部和超級傳輸或PCI中斷；

根據(jù)它的SiGe:C雙極工藝，設(shè)計了幾種用于高速通信的主要功能塊，它的截止頻率大于200GHz，所演示的振蕩器門延遲時間為3.7ps。高性能電路的測試也表明，很平穩(wěn)的晶體管參數(shù)能用在模擬和數(shù)字應(yīng)用，有很低的噪音。

虛擬儀表信息包和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)CF2 DAQ卡，用在視窗手持設(shè)備。Data-CF2 2型緊湊閃存卡采用Window CE操作系統(tǒng)，能進(jìn)行專業(yè)的數(shù)據(jù)采集。取樣高達(dá)40kHz，板上有32KB的緩沖器，該器件能使袖珍PC具有數(shù)據(jù)采集，示波器，計數(shù)器/計時器或萬用表的功能。

該單元安裝了Windows CE 3.0和WinX測試面板軟件.評估工具包括卡，電纜，數(shù)據(jù)采集軟件和源代碼。