Micro LED被譽(yù)為新時(shí)代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。

微米級(jí)的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。相對(duì)其它競(jìng)爭(zhēng)方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN）Micro LED技術(shù)在制程良率、圓晶成本、IC工藝兼容度等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，已成為業(yè)內(nèi)公認(rèn)的重要技術(shù)路線之一。

當(dāng)前，Plessey、ALLOS 、STRATACACHE、Aledia、MICLEDI等國際企業(yè)都在專注于硅襯底Micro LED的開發(fā)。以晶能光電為產(chǎn)業(yè)界代表，硅襯底Micro LED技術(shù)開發(fā)同樣匯聚了強(qiáng)大的推動(dòng)力量。

晶能光電外延工藝在硅襯底氮化鎵Micro LED外延和芯片方面的進(jìn)展。

以36K/10K為例計(jì)算，上分壓電阻就是R2=36K , 下分壓電阻等于R3+R4+R5+R6+R7之和；

從電流VS電壓曲線可以看出，在同樣電流20mA下，LED1電壓為1.8V，LED2電壓為 1.9V，在并聯(lián)使用時(shí)由于電壓的不一致性，在導(dǎo)通時(shí)低電壓的燈珠會(huì)有鉗位作用，那LED1電壓會(huì)鉗位在1.8V，此時(shí)這顆LED1燈珠流過的電流為20mA.

AS8579在封裝方面，采用了小型化的SSOP24的封裝，可以使系統(tǒng)更加緊湊，降低附加成本。

電瓶電壓12V時(shí)點(diǎn)亮LED2，上分壓電阻上的電壓為9.5V，下分壓電阻上的電壓為2.5V，由于串聯(lián)電路里電流相等，那么設(shè)R3為x ，列一元一次方程：

9.5/(36+x） = 2.5/（10–x） 計(jì)算后得到x=0.43478 取標(biāo)準(zhǔn)系列電阻里的430歐；

同樣的計(jì)算方法，可以得到12.5V和13.5V的分壓電阻。

12.5V分壓后為10/2.5

10/(36+0.43+x)=2.5/(10–0.43–x)計(jì)算后得到x=0.37取標(biāo)準(zhǔn)系列電阻里的360歐；

13.5V分壓后為11/2.5

11/(36+0.43+0.36+x)=2.5/(10–0.43–0.36–x)計(jì)算后得到x=0.69148取標(biāo)準(zhǔn)系列電阻里的680 歐。

8.2+0.33+0.68+0.36+0.43=10都是標(biāo)準(zhǔn)系列阻值，相加后符合11.5V下分壓電阻總數(shù)值10K的要求。