硅襯底GaN技術相對傳統(tǒng)藍寶石襯底GaN技術擁有關鍵優(yōu)勢
發(fā)布時間:2022/11/17 12:52:52 訪問次數(shù):199
LED照明的穩(wěn)健性測試類似于JEDEC、IEC和其他組織發(fā)布的其他類型電子設備的測試,但針對LED產(chǎn)品的特殊特性進行了定制。給定產(chǎn)品的具體測試協(xié)議將取決于預期的應用,例如,室內(nèi)辦公產(chǎn)品的測試面板可能不需要包括高溫操作或振動。
下表中列出的測試代表了推薦用于LED照明產(chǎn)品的一些更常見的穩(wěn)健性測試。
測試樣本量(典型)持續(xù)時間(典型)描述
高溫操作30個(3個,共 10個)1000小時連續(xù)運行:
與允許的最大電流對應的溫度
對應于允許的最高溫度的驅動電流
低溫操作30個(3個,共10個)1000小時在40°C(典型值)的環(huán)境溫度和工作溫度允許的最大驅動電流下連續(xù)運行.
電源循環(huán)操作30個(3個,共10個)1000小時在標稱溫度和驅動電流下開/關操作。由制造商確定的占空比.
非工作溫度循環(huán)30個(3個,共10個)500次循環(huán)在T min=40°C和T max=85°C時,典型的浸泡時間和溫度為15分鐘
變頻振動30個(3個,共10個)168小時由制造商確定的頻率分布
高溫/高濕30個(3個,共10個)1000小時在85°C 的典型環(huán)境溫度和85%的典型RH下連續(xù)或循環(huán)運行
腐蝕30個(3個,共10個)168小時在標稱溫度和驅動電流下運行,75%RH(典型值)至鹽霧
曝光(非工作)3個(3個,共1個)1000小時透鏡和外殼材料暴露于近紫外輻射
灰塵208小時在標稱溫度和驅動電流下連續(xù)運行
Micro LED顯示技術在亮度、光效、可靠性、響應時間、色彩飽和度等方面具有優(yōu)勢,應用范圍覆蓋AR、HUD、透明顯示、柔性顯示,可穿戴設備、高端顯示屏等等。
目前Micro LED仍面臨著來自技術和成本的雙重挑戰(zhàn)。據(jù)悉,業(yè)界仍需克服紅光光效、激光轉移、晶圓鍵合、全彩化、檢測和修復等技術挑戰(zhàn)。周名兵認為,硅襯底GaN技術可以極大提升Micro LED的制程良率。
對Micro LED而言,硅襯底GaN技術相對傳統(tǒng)的藍寶石襯底GaN技術擁有某些關鍵優(yōu)勢,包括大尺寸上的波長一致性、襯底無損去除、晶圓翹曲控制、CMOS鍵合良率等等。
來源:eechina.如涉版權請聯(lián)系刪除。圖片供參考
LED照明的穩(wěn)健性測試類似于JEDEC、IEC和其他組織發(fā)布的其他類型電子設備的測試,但針對LED產(chǎn)品的特殊特性進行了定制。給定產(chǎn)品的具體測試協(xié)議將取決于預期的應用,例如,室內(nèi)辦公產(chǎn)品的測試面板可能不需要包括高溫操作或振動。
下表中列出的測試代表了推薦用于LED照明產(chǎn)品的一些更常見的穩(wěn)健性測試。
測試樣本量(典型)持續(xù)時間(典型)描述
高溫操作30個(3個,共 10個)1000小時連續(xù)運行:
與允許的最大電流對應的溫度
對應于允許的最高溫度的驅動電流
低溫操作30個(3個,共10個)1000小時在40°C(典型值)的環(huán)境溫度和工作溫度允許的最大驅動電流下連續(xù)運行.
電源循環(huán)操作30個(3個,共10個)1000小時在標稱溫度和驅動電流下開/關操作。由制造商確定的占空比.
非工作溫度循環(huán)30個(3個,共10個)500次循環(huán)在T min=40°C和T max=85°C時,典型的浸泡時間和溫度為15分鐘
變頻振動30個(3個,共10個)168小時由制造商確定的頻率分布
高溫/高濕30個(3個,共10個)1000小時在85°C 的典型環(huán)境溫度和85%的典型RH下連續(xù)或循環(huán)運行
腐蝕30個(3個,共10個)168小時在標稱溫度和驅動電流下運行,75%RH(典型值)至鹽霧
曝光(非工作)3個(3個,共1個)1000小時透鏡和外殼材料暴露于近紫外輻射
灰塵208小時在標稱溫度和驅動電流下連續(xù)運行
Micro LED顯示技術在亮度、光效、可靠性、響應時間、色彩飽和度等方面具有優(yōu)勢,應用范圍覆蓋AR、HUD、透明顯示、柔性顯示,可穿戴設備、高端顯示屏等等。
目前Micro LED仍面臨著來自技術和成本的雙重挑戰(zhàn)。據(jù)悉,業(yè)界仍需克服紅光光效、激光轉移、晶圓鍵合、全彩化、檢測和修復等技術挑戰(zhàn)。周名兵認為,硅襯底GaN技術可以極大提升Micro LED的制程良率。
對Micro LED而言,硅襯底GaN技術相對傳統(tǒng)的藍寶石襯底GaN技術擁有某些關鍵優(yōu)勢,包括大尺寸上的波長一致性、襯底無損去除、晶圓翹曲控制、CMOS鍵合良率等等。
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