在rb一定情況下rc與ycc之間關(guān)系稱晶體管輸出特性

發(fā)布時間:2023/4/4 23:31:46 訪問次數(shù):107

晶體三極管的主要參數(shù)，直流參數(shù)共發(fā)射極直流放大倍數(shù)卩=b/rb。

集電極一基極反向截止電流‰)rb=o時,基極和集電極間加規(guī)定反向電壓時的集電極電流。

集電極一發(fā)射極反向截止電流rc相(穿透電流) rb=o時,集電極―發(fā)射極間加規(guī)定的反向電壓時的集電極電流。

晶體三極管的輸人、輸出特性,輸入特性,在晶體管的輸入回路中,基極電流Fb與基極和發(fā)射極之問的電壓ubc的關(guān)系稱為輸人特性。在晶體管的輸入特性中也存在個“死區(qū)”。在“死區(qū)”內(nèi)rb極小,硅管死區(qū)電壓約0.5V,鍺管約0.2Ⅴ。

輸出特性在rb一定的情況下,rc與ycc之間的關(guān)系稱晶體管的輸出特性。同一只晶體管,在不同的Jh下, 晶體三極管可以得到不同的曲線,使得晶體三極管的輸出特性是一個曲上四線族。

在中間部分的J(大小主要取決于Jb,這個區(qū)域稱為放大區(qū)。在這個區(qū)間內(nèi),f(隨Fb成正比例增長,rb每增大一定值,特性曲線就向上移一次,fc的變化比rb的變化大得多,即

Δrc=`Δrb

在Fb=0時,Jc≠0,此時的rc叫穿透電流。在Jb=0以下的區(qū)域稱為截止區(qū),在此區(qū)域內(nèi),晶體三極管無放大作用;曲線族左側(cè)的陰影區(qū)稱為飽和區(qū),在此區(qū)域內(nèi),晶體管處于飽和導通狀態(tài)(無放大作用)。

交流參數(shù),共發(fā)射極交流放大倍數(shù) 卩=Δ幾/ΔFb。其中ΔFb是fb的變化量,Δfc是rc的變化量。

共基極交流放大倍數(shù) α=Δfc/Δ厶≈1。

極限參數(shù)，集電極最大允許電流Fcm。

集電極―發(fā)射極擊穿電壓cm基極開路時,加在集電極一發(fā)射極之間的最大允許電壓。

集電極最大容許耗散功率Pcm 集電極電流Jc會使管子溫度上升,二極管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值的功耗就是Pcm。二極管的實際耗散功率Pc=L廠ce rc,使用時必須使Pc<Pcm。