低溫二相磊晶成長法
發(fā)布時間:2007/8/15 0:00:00 訪問次數(shù):452
液相磊晶成長系統(tǒng)的磊晶層成長溫度，一般設(shè)定在攝氏800度，這是因為GaAs基板上氧化層三氧化二鎵需要經(jīng)過攝氏650度以上的溫度處理后，才能分解去除。因此，當(dāng)成長溫度設(shè)定在攝700度的時候，稱為低溫成長。
液相磊晶成長系統(tǒng)的磊晶層成長溫度，一般設(shè)定在攝氏800度，這是因為GaAs基板上氧化層三氧化二鎵需要經(jīng)過攝氏650度以上的溫度處理后，才能分解去除。因此，當(dāng)成長溫度設(shè)定在攝700度的時候，稱為低溫成長。
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