休眠模式的使用
發(fā)布時(shí)間:2012/2/19 18:04:50 訪問次數(shù):2256
休眠模式是最常用且最靈活的模式。通常，喚醒時(shí)間非常短，需要的開銷極小，甚至不需要開銷即可進(jìn)入和退出此模式。因此，對(duì)于需要短休眠時(shí)間和快速喚醒及處理的應(yīng)用而言，這是最佳低功耗模式。休眠通常用于具有以下特性的應(yīng)用：
·循環(huán)時(shí)間短，需要頻繁喚醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外設(shè)喚醒源；
·休眠時(shí)使用ADC或比較器執(zhí)行模擬采樣。
在深度休眠模式下，不會(huì)對(duì)CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外設(shè)供電。此外，深度休眠還會(huì)關(guān)閉閃存、SRAM和電壓監(jiān)視電路的電源。這讓深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多數(shù)器件上，典型的深度休眠電流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中會(huì)保存4字節(jié)的數(shù)據(jù)，用于保存應(yīng)用所需的一些關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
處于深度休眠模式時(shí)，I/O引腳和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的狀態(tài)會(huì)保持不變，所以深度休眠模式不會(huì)中斷應(yīng)用操作。RTCC中斷、超低功率喚醒、DSWDT超時(shí)、外部中斷0（INTO）、MCLR或POR可以將器件從深度休眠中喚醒。在喚醒時(shí)，器件會(huì)從復(fù)位向量處開始繼續(xù)工作。通過深度休眠模式，器件可以實(shí)現(xiàn)可能達(dá)到的最低靜戀功耗。其代價(jià)是在喚醒之后固件必須重新初始化。因此，深度休眠最適合需要很長電池壽命和具有很好休眠時(shí)間的應(yīng)用。
關(guān)于深度休眠和如何使用它的更多信息，請(qǐng)參見器件數(shù)據(jù)手冊(cè)和器件系列參考手冊(cè)。
·循環(huán)時(shí)間短，需要頻繁喚醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外設(shè)喚醒源；
·休眠時(shí)使用ADC或比較器執(zhí)行模擬采樣。
在深度休眠模式下，不會(huì)對(duì)CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外設(shè)供電。此外，深度休眠還會(huì)關(guān)閉閃存、SRAM和電壓監(jiān)視電路的電源。這讓深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多數(shù)器件上，典型的深度休眠電流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中會(huì)保存4字節(jié)的數(shù)據(jù)，用于保存應(yīng)用所需的一些關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
處于深度休眠模式時(shí)，I/O引腳和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的狀態(tài)會(huì)保持不變，所以深度休眠模式不會(huì)中斷應(yīng)用操作。RTCC中斷、超低功率喚醒、DSWDT超時(shí)、外部中斷0（INTO）、MCLR或POR可以將器件從深度休眠中喚醒。在喚醒時(shí)，器件會(huì)從復(fù)位向量處開始繼續(xù)工作。通過深度休眠模式，器件可以實(shí)現(xiàn)可能達(dá)到的最低靜戀功耗。其代價(jià)是在喚醒之后固件必須重新初始化。因此，深度休眠最適合需要很長電池壽命和具有很好休眠時(shí)間的應(yīng)用。
關(guān)于深度休眠和如何使用它的更多信息，請(qǐng)參見器件數(shù)據(jù)手冊(cè)和器件系列參考手冊(cè)。
休眠模式是最常用且最靈活的模式。通常，喚醒時(shí)間非常短，需要的開銷極小，甚至不需要開銷即可進(jìn)入和退出此模式。因此，對(duì)于需要短休眠時(shí)間和快速喚醒及處理的應(yīng)用而言，這是最佳低功耗模式。休眠通常用于具有以下特性的應(yīng)用：
·循環(huán)時(shí)間短，需要頻繁喚醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外設(shè)喚醒源；
·休眠時(shí)使用ADC或比較器執(zhí)行模擬采樣。
在深度休眠模式下，不會(huì)對(duì)CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外設(shè)供電。此外，深度休眠還會(huì)關(guān)閉閃存、SRAM和電壓監(jiān)視電路的電源。這讓深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多數(shù)器件上，典型的深度休眠電流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中會(huì)保存4字節(jié)的數(shù)據(jù)，用于保存應(yīng)用所需的一些關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
處于深度休眠模式時(shí)，I/O引腳和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的狀態(tài)會(huì)保持不變，所以深度休眠模式不會(huì)中斷應(yīng)用操作。RTCC中斷、超低功率喚醒、DSWDT超時(shí)、外部中斷0（INTO）、MCLR或POR可以將器件從深度休眠中喚醒。在喚醒時(shí)，器件會(huì)從復(fù)位向量處開始繼續(xù)工作。通過深度休眠模式，器件可以實(shí)現(xiàn)可能達(dá)到的最低靜戀功耗。其代價(jià)是在喚醒之后固件必須重新初始化。因此，深度休眠最適合需要很長電池壽命和具有很好休眠時(shí)間的應(yīng)用。
關(guān)于深度休眠和如何使用它的更多信息，請(qǐng)參見器件數(shù)據(jù)手冊(cè)和器件系列參考手冊(cè)。
·循環(huán)時(shí)間短，需要頻繁喚醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外設(shè)喚醒源；
·休眠時(shí)使用ADC或比較器執(zhí)行模擬采樣。
在深度休眠模式下，不會(huì)對(duì)CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外設(shè)供電。此外，深度休眠還會(huì)關(guān)閉閃存、SRAM和電壓監(jiān)視電路的電源。這讓深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多數(shù)器件上，典型的深度休眠電流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中會(huì)保存4字節(jié)的數(shù)據(jù)，用于保存應(yīng)用所需的一些關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
處于深度休眠模式時(shí)，I/O引腳和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的狀態(tài)會(huì)保持不變，所以深度休眠模式不會(huì)中斷應(yīng)用操作。RTCC中斷、超低功率喚醒、DSWDT超時(shí)、外部中斷0（INTO）、MCLR或POR可以將器件從深度休眠中喚醒。在喚醒時(shí)，器件會(huì)從復(fù)位向量處開始繼續(xù)工作。通過深度休眠模式，器件可以實(shí)現(xiàn)可能達(dá)到的最低靜戀功耗。其代價(jià)是在喚醒之后固件必須重新初始化。因此，深度休眠最適合需要很長電池壽命和具有很好休眠時(shí)間的應(yīng)用。
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- A44L-0001-0165150B
- 暫無最新型號(hào)
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