已經(jīng)提出了基于熱或電一熱的分析模型FS992-DMM4來描述電路的ESD失效現(xiàn)象。熱模型假定ESD失效與臨界溫度有關(guān)，其電參數(shù)與溫度無關(guān)，而溫度與在應(yīng)力下傳到器件的功耗有關(guān)。對于局部平行六面體熱源的熱方程求解，可以得出功耗一失效(Pf)與時間一失效(tf)的表達式，如圖2.43所示。失效的標(biāo)準(zhǔn)與器件的二次擊穿有關(guān)，以前述圖2. 24中的IT2作為指針。盡管存在關(guān)于精確的熱失效標(biāo)準(zhǔn)的爭論，在實際的ESD模擬和設(shè)計中，IT2提供了合理的ESD失效指示。在集成電路ESD失效機理，尤其是潛在ESD失效方面的研究正在進行深入的研究。