少數(shù)載流子的保護(hù)環(huán)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/23 19:44:39 訪問(wèn)次數(shù):1643
如圖2. 57所示，在P阱和PMOS管的P十漏區(qū)之間，安排一個(gè)W19B320ATT7H接地的由P阱和P+組成的區(qū)域，這個(gè)區(qū)域被稱為收集極，又稱為少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱少子）保護(hù)環(huán)。用它來(lái)提前收集那些會(huì)引起閉鎖的注入少數(shù)載流子。它可以收集由橫向PNP管發(fā)射極注入的少子——空穴，相當(dāng)于橫向PNP管的收集極，故又稱偽集電極。少子不會(huì)被P阱所收集，從而有效地減小了pPNP。
圖2. 58所示是N阱CMOS電路中的偽集電極。也是在N阱與nMOS管的N+漏區(qū)之間制作一個(gè)接電源VDD的由N阱和N1組成的區(qū)域，它可以收集由橫向NPN管發(fā)射極注入到基區(qū)（P型襯底）的電子（少子），起到集電極的作用，從而有效地減小了pNPN。
如圖2. 57所示，在P阱和PMOS管的P十漏區(qū)之間，安排一個(gè)W19B320ATT7H接地的由P阱和P+組成的區(qū)域，這個(gè)區(qū)域被稱為收集極，又稱為少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱少子）保護(hù)環(huán)。用它來(lái)提前收集那些會(huì)引起閉鎖的注入少數(shù)載流子。它可以收集由橫向PNP管發(fā)射極注入的少子——空穴，相當(dāng)于橫向PNP管的收集極，故又稱偽集電極。少子不會(huì)被P阱所收集，從而有效地減小了pPNP。
圖2. 58所示是N阱CMOS電路中的偽集電極。也是在N阱與nMOS管的N+漏區(qū)之間制作一個(gè)接電源VDD的由N阱和N1組成的區(qū)域，它可以收集由橫向NPN管發(fā)射極注入到基區(qū)（P型襯底）的電子（少子），起到集電極的作用，從而有效地減小了pNPN。
相關(guān)技術(shù)資料- 4-23少數(shù)載流子的保護(hù)環(huán)
- 相關(guān)IC型號(hào)
- W19B320ATT7H
- W19B320ABT7H
熱門點(diǎn)擊
- 編程接口電路
- TinyDB系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
- 磷硅酸鹽玻璃鈍化(PSG)
- Mega128的初始化過(guò)程
- 典型的無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)傳感模塊
- 少數(shù)載流子的保護(hù)環(huán)
- 無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)集成開(kāi)發(fā)平臺(tái)MeshIDE f
- 智能家居概述
- 熔斷電阻器
- 基于無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)的醫(yī)療健康護(hù)理系統(tǒng)
推薦技術(shù)資料
- 自制經(jīng)典的1875功放
- 平時(shí)我也經(jīng)常逛一些音響DIY論壇，發(fā)現(xiàn)有很多人喜歡LM... [詳細(xì)]
- 全集成直接飛行時(shí)間（dToF）傳感器
- 2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)未
- GW2A系列FPGA芯片應(yīng)用參數(shù)
- DDR類儲(chǔ)存器接口解決方案
- 2.5G bps MIPI D
- 新一代 Arora-V系列FPGA產(chǎn)品詳情
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
