P2 05、Si02混合體、五價(jià)磷代替PL2305H四價(jià)硅原子位置，多余一個(gè)電子（艿一），它可俘獲一個(gè)Na+離子，故PSG把Na+離子固定在S102之中，使之不可移動(dòng)。PSG吸收Na+使其含Na+濃度比Si02中Na+大103倍，Na+要通過等厚的PSG時(shí)間比Si02長8倍，可見PSG有阻擋Na+進(jìn)入Si02的屏蔽作用。實(shí)驗(yàn)表明：3DA308高頻功率管，使用PSG鈍化之后，原先^FE（小電流）隨￡下降，擊穿電壓蠕變現(xiàn)象消除（見表4.2）。

            
    PSG中含有微小導(dǎo)電晶粒，在電場作用下，晶粒和玻璃之間的界面極化會削弱外電場，使器件特性變化。此外，PSG吸水性強(qiáng)，水介后生成偏磷酸，會腐蝕Al條。
    克服極化效應(yīng)的措施主要有：
    ①控制PSG與S102的厚度比為1:5。
    ②控制PSG中磷含量為l02 cm-3，鈍化效果最佳。
    ③由硅烷、磷烷和氧氣合成，在400℃進(jìn)行CVD、PSG中磷的重量比為2%時(shí)，鈍化效果最好。
    無鈉S102的制備
    ①硅片脫脂處理。
    ②腐蝕硅片表面機(jī)械損傷層。
    ③氧化層：雙壁高純石英管，由液氧供氧氣，氧氣中水含量< lppm、氧化1000℃、干氧氣氛、S102：500A(Qm一3×loio cm-3)。
    ④Al蒸發(fā)：真空1×10_7托，電子束鋁源純度5個(gè)O以上。
    ⑤封帽：控制濕度、干氧氣氛，也可用Pt、T102、2n2 03等把石英管包起來。