雙極晶體管(BJT)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/25 19:54:32 訪問次數(shù):1793
雙極晶體管類型和品種很多，根據(jù)PN結(jié)的CY8C20346A-24LQXI形成方式不同可分為點(diǎn)接觸型晶體管和面接觸型晶體管；根據(jù)制作工藝的不同可分為合金管、合金擴(kuò)散管、臺(tái)面管及平面管；而根據(jù)功能與用途的不同來分其種類更多，如低頻管、高頻管、微波管、功率管、開關(guān)管和低噪聲管等。目前應(yīng)用最多的是硅平面晶體管，它也是構(gòu)成硅雙極集成電路的基本單元器件。
無論雙極晶體管種類多么繁多，就其基本結(jié)構(gòu)而言，其管芯都是由兩個(gè)背對(duì)背且相距極近的PN結(jié)所構(gòu)成。將這兩個(gè)PN結(jié)分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。兩個(gè)PN結(jié)將管子分為3個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)主要作用是發(fā)射載流子（電子或空穴）；基區(qū)是基本工作區(qū)，其功能是對(duì)載流子進(jìn)行輸運(yùn)與控制；集電區(qū)的作用是收集載流子。
雙極晶體管的基本功能是在電路中對(duì)電流、電壓或功率縣有放大和開關(guān)作用。在實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的應(yīng)用中，BJT輸入的通常是交流小信號(hào)，即信號(hào)電壓幅度遠(yuǎn)小于熱電勢(shì)kT/q，室溫下約為26mV，比直流偏置電壓小得多，相應(yīng)的交流電流也會(huì)比直流偏置下的電流小得多；這時(shí)BJT工作在正向有源區(qū)，作為線性放大，輸入信號(hào)電流、輸出信號(hào)電流、輸入信號(hào)電壓及輸出信號(hào)電壓之間可近似為線性變化關(guān)系；隨著信號(hào)頻率升高，BJT內(nèi)各種電容效應(yīng)的影響使電流增益迅速下降，從而對(duì)使用頻率提出限制。如果管子在截止和飽和（或放大）態(tài)之間快速轉(zhuǎn)換，則起到電子開關(guān)的作用。開關(guān)過程是大信號(hào)的瞬變過程，開關(guān)要求晶體管具有更快的速度即更短的開關(guān)時(shí)間。影響開關(guān)速度的內(nèi)因是晶體管的結(jié)構(gòu)、材料的性質(zhì)，包括基區(qū)、集電區(qū)電荷的積累及泄失，勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容的充、放電，超量?jī)?chǔ)存電荷的積累及泄放，載流子的復(fù)合等；外因是外電路的驅(qū)動(dòng)和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
無論雙極晶體管種類多么繁多，就其基本結(jié)構(gòu)而言，其管芯都是由兩個(gè)背對(duì)背且相距極近的PN結(jié)所構(gòu)成。將這兩個(gè)PN結(jié)分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。兩個(gè)PN結(jié)將管子分為3個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)主要作用是發(fā)射載流子（電子或空穴）；基區(qū)是基本工作區(qū)，其功能是對(duì)載流子進(jìn)行輸運(yùn)與控制；集電區(qū)的作用是收集載流子。
雙極晶體管的基本功能是在電路中對(duì)電流、電壓或功率縣有放大和開關(guān)作用。在實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的應(yīng)用中，BJT輸入的通常是交流小信號(hào)，即信號(hào)電壓幅度遠(yuǎn)小于熱電勢(shì)kT/q，室溫下約為26mV，比直流偏置電壓小得多，相應(yīng)的交流電流也會(huì)比直流偏置下的電流小得多；這時(shí)BJT工作在正向有源區(qū)，作為線性放大，輸入信號(hào)電流、輸出信號(hào)電流、輸入信號(hào)電壓及輸出信號(hào)電壓之間可近似為線性變化關(guān)系；隨著信號(hào)頻率升高，BJT內(nèi)各種電容效應(yīng)的影響使電流增益迅速下降，從而對(duì)使用頻率提出限制。如果管子在截止和飽和（或放大）態(tài)之間快速轉(zhuǎn)換，則起到電子開關(guān)的作用。開關(guān)過程是大信號(hào)的瞬變過程，開關(guān)要求晶體管具有更快的速度即更短的開關(guān)時(shí)間。影響開關(guān)速度的內(nèi)因是晶體管的結(jié)構(gòu)、材料的性質(zhì)，包括基區(qū)、集電區(qū)電荷的積累及泄失，勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容的充、放電，超量?jī)?chǔ)存電荷的積累及泄放，載流子的復(fù)合等；外因是外電路的驅(qū)動(dòng)和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
雙極晶體管類型和品種很多，根據(jù)PN結(jié)的CY8C20346A-24LQXI形成方式不同可分為點(diǎn)接觸型晶體管和面接觸型晶體管；根據(jù)制作工藝的不同可分為合金管、合金擴(kuò)散管、臺(tái)面管及平面管；而根據(jù)功能與用途的不同來分其種類更多，如低頻管、高頻管、微波管、功率管、開關(guān)管和低噪聲管等。目前應(yīng)用最多的是硅平面晶體管，它也是構(gòu)成硅雙極集成電路的基本單元器件。
無論雙極晶體管種類多么繁多，就其基本結(jié)構(gòu)而言，其管芯都是由兩個(gè)背對(duì)背且相距極近的PN結(jié)所構(gòu)成。將這兩個(gè)PN結(jié)分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。兩個(gè)PN結(jié)將管子分為3個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)主要作用是發(fā)射載流子（電子或空穴）；基區(qū)是基本工作區(qū)，其功能是對(duì)載流子進(jìn)行輸運(yùn)與控制；集電區(qū)的作用是收集載流子。
雙極晶體管的基本功能是在電路中對(duì)電流、電壓或功率縣有放大和開關(guān)作用。在實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的應(yīng)用中，BJT輸入的通常是交流小信號(hào)，即信號(hào)電壓幅度遠(yuǎn)小于熱電勢(shì)kT/q，室溫下約為26mV，比直流偏置電壓小得多，相應(yīng)的交流電流也會(huì)比直流偏置下的電流小得多；這時(shí)BJT工作在正向有源區(qū)，作為線性放大，輸入信號(hào)電流、輸出信號(hào)電流、輸入信號(hào)電壓及輸出信號(hào)電壓之間可近似為線性變化關(guān)系；隨著信號(hào)頻率升高，BJT內(nèi)各種電容效應(yīng)的影響使電流增益迅速下降，從而對(duì)使用頻率提出限制。如果管子在截止和飽和（或放大）態(tài)之間快速轉(zhuǎn)換，則起到電子開關(guān)的作用。開關(guān)過程是大信號(hào)的瞬變過程，開關(guān)要求晶體管具有更快的速度即更短的開關(guān)時(shí)間。影響開關(guān)速度的內(nèi)因是晶體管的結(jié)構(gòu)、材料的性質(zhì)，包括基區(qū)、集電區(qū)電荷的積累及泄失，勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容的充、放電，超量?jī)?chǔ)存電荷的積累及泄放，載流子的復(fù)合等；外因是外電路的驅(qū)動(dòng)和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
無論雙極晶體管種類多么繁多，就其基本結(jié)構(gòu)而言，其管芯都是由兩個(gè)背對(duì)背且相距極近的PN結(jié)所構(gòu)成。將這兩個(gè)PN結(jié)分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。兩個(gè)PN結(jié)將管子分為3個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)主要作用是發(fā)射載流子（電子或空穴）；基區(qū)是基本工作區(qū)，其功能是對(duì)載流子進(jìn)行輸運(yùn)與控制；集電區(qū)的作用是收集載流子。
雙極晶體管的基本功能是在電路中對(duì)電流、電壓或功率縣有放大和開關(guān)作用。在實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的應(yīng)用中，BJT輸入的通常是交流小信號(hào)，即信號(hào)電壓幅度遠(yuǎn)小于熱電勢(shì)kT/q，室溫下約為26mV，比直流偏置電壓小得多，相應(yīng)的交流電流也會(huì)比直流偏置下的電流小得多；這時(shí)BJT工作在正向有源區(qū)，作為線性放大，輸入信號(hào)電流、輸出信號(hào)電流、輸入信號(hào)電壓及輸出信號(hào)電壓之間可近似為線性變化關(guān)系；隨著信號(hào)頻率升高，BJT內(nèi)各種電容效應(yīng)的影響使電流增益迅速下降，從而對(duì)使用頻率提出限制。如果管子在截止和飽和（或放大）態(tài)之間快速轉(zhuǎn)換，則起到電子開關(guān)的作用。開關(guān)過程是大信號(hào)的瞬變過程，開關(guān)要求晶體管具有更快的速度即更短的開關(guān)時(shí)間。影響開關(guān)速度的內(nèi)因是晶體管的結(jié)構(gòu)、材料的性質(zhì)，包括基區(qū)、集電區(qū)電荷的積累及泄失，勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容的充、放電，超量?jī)?chǔ)存電荷的積累及泄放，載流子的復(fù)合等；外因是外電路的驅(qū)動(dòng)和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
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