有關(guān)y線輻照效應(yīng)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/28 20:05:31 訪問次數(shù):875
(1) GaAs晶體的輻照損傷
高劑量的放射線輻FMU22U照會(huì)引起GaAs FET特性變化，用GaAs晶體的損傷可以作為證明，進(jìn)一步討論如下：
①輻照使晶體產(chǎn)生缺陷，由它形成的陷阱捕獲n型載流子，造成載流子濃度降低。
②隨之而來的離子化漫散射和復(fù)合中心的產(chǎn)生，多數(shù)載流子遷移率下降。
③伴隨有源層和襯底界面附近生成的晶體缺陷，對(duì)有源層電位的影響等，帶來正向傳輸電導(dǎo)，閾值電壓等直流特性和增益，噪聲系數(shù)等交流特性的變化。這些特性的變化，從等效電路也能得到某種程度的分析。這些輻照損傷，與晶體有源層的載流子濃度、摻雜類型、輻照電平、有源層與襯底的屏蔽等都有關(guān)系。為提高器件的可靠性，應(yīng)把器件結(jié)構(gòu)和晶體質(zhì)量作為點(diǎn)，一并加以研究，同時(shí)積累必要的數(shù)據(jù)作為設(shè)計(jì)依據(jù)。
(2)歐姆電極的輻照損傷
歐姆電極的輻照損傷首先表現(xiàn)在歐姆電阻的變化。歐姆電阻一般由接觸電阻，晶體電阻p，殘留寄生電阻R。等組成。p的變化能用前述的和單晶輻照損傷相同的方法來進(jìn)行考慮。用y射線輻照后歐姆接觸性能改善了，但當(dāng)照射量增加后又開始劣化。有關(guān)R。的劣化，把GaAs/Au，Ge/Ni/Au的歐姆形成層的層間擴(kuò)散等在一起考慮是必要的。
其次是輻照氣氛的影響。為了研究歐姆電極的層間擴(kuò)散，照射前用俄歇分析，將AulNi／AuGe三層徹底分開，并把該樣片置于濕空氣Ail，02 -HzO，N2 /02 -H20，干O：，干N。/02，H。O等氣氛中，用7射線進(jìn)行輻照，然后進(jìn)行表面狀態(tài)的觀察和俄歇分析。結(jié)果表明，由于O。和N。/02中含有水分，促使了歐姆電極的損傷。
高劑量的放射線輻FMU22U照會(huì)引起GaAs FET特性變化，用GaAs晶體的損傷可以作為證明，進(jìn)一步討論如下：
①輻照使晶體產(chǎn)生缺陷，由它形成的陷阱捕獲n型載流子，造成載流子濃度降低。
②隨之而來的離子化漫散射和復(fù)合中心的產(chǎn)生，多數(shù)載流子遷移率下降。
③伴隨有源層和襯底界面附近生成的晶體缺陷，對(duì)有源層電位的影響等，帶來正向傳輸電導(dǎo)，閾值電壓等直流特性和增益，噪聲系數(shù)等交流特性的變化。這些特性的變化，從等效電路也能得到某種程度的分析。這些輻照損傷，與晶體有源層的載流子濃度、摻雜類型、輻照電平、有源層與襯底的屏蔽等都有關(guān)系。為提高器件的可靠性，應(yīng)把器件結(jié)構(gòu)和晶體質(zhì)量作為點(diǎn)，一并加以研究，同時(shí)積累必要的數(shù)據(jù)作為設(shè)計(jì)依據(jù)。
(2)歐姆電極的輻照損傷
歐姆電極的輻照損傷首先表現(xiàn)在歐姆電阻的變化。歐姆電阻一般由接觸電阻，晶體電阻p，殘留寄生電阻R。等組成。p的變化能用前述的和單晶輻照損傷相同的方法來進(jìn)行考慮。用y射線輻照后歐姆接觸性能改善了，但當(dāng)照射量增加后又開始劣化。有關(guān)R。的劣化，把GaAs/Au，Ge/Ni/Au的歐姆形成層的層間擴(kuò)散等在一起考慮是必要的。
其次是輻照氣氛的影響。為了研究歐姆電極的層間擴(kuò)散，照射前用俄歇分析，將AulNi／AuGe三層徹底分開，并把該樣片置于濕空氣Ail，02 -HzO，N2 /02 -H20，干O：，干N。/02，H。O等氣氛中，用7射線進(jìn)行輻照，然后進(jìn)行表面狀態(tài)的觀察和俄歇分析。結(jié)果表明，由于O。和N。/02中含有水分，促使了歐姆電極的損傷。
(1) GaAs晶體的輻照損傷
高劑量的放射線輻FMU22U照會(huì)引起GaAs FET特性變化，用GaAs晶體的損傷可以作為證明，進(jìn)一步討論如下：
①輻照使晶體產(chǎn)生缺陷，由它形成的陷阱捕獲n型載流子，造成載流子濃度降低。
②隨之而來的離子化漫散射和復(fù)合中心的產(chǎn)生，多數(shù)載流子遷移率下降。
③伴隨有源層和襯底界面附近生成的晶體缺陷，對(duì)有源層電位的影響等，帶來正向傳輸電導(dǎo)，閾值電壓等直流特性和增益，噪聲系數(shù)等交流特性的變化。這些特性的變化，從等效電路也能得到某種程度的分析。這些輻照損傷，與晶體有源層的載流子濃度、摻雜類型、輻照電平、有源層與襯底的屏蔽等都有關(guān)系。為提高器件的可靠性，應(yīng)把器件結(jié)構(gòu)和晶體質(zhì)量作為點(diǎn)，一并加以研究，同時(shí)積累必要的數(shù)據(jù)作為設(shè)計(jì)依據(jù)。
(2)歐姆電極的輻照損傷
歐姆電極的輻照損傷首先表現(xiàn)在歐姆電阻的變化。歐姆電阻一般由接觸電阻，晶體電阻p，殘留寄生電阻R。等組成。p的變化能用前述的和單晶輻照損傷相同的方法來進(jìn)行考慮。用y射線輻照后歐姆接觸性能改善了，但當(dāng)照射量增加后又開始劣化。有關(guān)R。的劣化，把GaAs/Au，Ge/Ni/Au的歐姆形成層的層間擴(kuò)散等在一起考慮是必要的。
其次是輻照氣氛的影響。為了研究歐姆電極的層間擴(kuò)散，照射前用俄歇分析，將AulNi／AuGe三層徹底分開，并把該樣片置于濕空氣Ail，02 -HzO，N2 /02 -H20，干O：，干N。/02，H。O等氣氛中，用7射線進(jìn)行輻照，然后進(jìn)行表面狀態(tài)的觀察和俄歇分析。結(jié)果表明，由于O。和N。/02中含有水分，促使了歐姆電極的損傷。
高劑量的放射線輻FMU22U照會(huì)引起GaAs FET特性變化，用GaAs晶體的損傷可以作為證明，進(jìn)一步討論如下：
①輻照使晶體產(chǎn)生缺陷，由它形成的陷阱捕獲n型載流子，造成載流子濃度降低。
②隨之而來的離子化漫散射和復(fù)合中心的產(chǎn)生，多數(shù)載流子遷移率下降。
③伴隨有源層和襯底界面附近生成的晶體缺陷，對(duì)有源層電位的影響等，帶來正向傳輸電導(dǎo)，閾值電壓等直流特性和增益，噪聲系數(shù)等交流特性的變化。這些特性的變化，從等效電路也能得到某種程度的分析。這些輻照損傷，與晶體有源層的載流子濃度、摻雜類型、輻照電平、有源層與襯底的屏蔽等都有關(guān)系。為提高器件的可靠性，應(yīng)把器件結(jié)構(gòu)和晶體質(zhì)量作為點(diǎn)，一并加以研究，同時(shí)積累必要的數(shù)據(jù)作為設(shè)計(jì)依據(jù)。
(2)歐姆電極的輻照損傷
歐姆電極的輻照損傷首先表現(xiàn)在歐姆電阻的變化。歐姆電阻一般由接觸電阻，晶體電阻p，殘留寄生電阻R。等組成。p的變化能用前述的和單晶輻照損傷相同的方法來進(jìn)行考慮。用y射線輻照后歐姆接觸性能改善了，但當(dāng)照射量增加后又開始劣化。有關(guān)R。的劣化，把GaAs/Au，Ge/Ni/Au的歐姆形成層的層間擴(kuò)散等在一起考慮是必要的。
其次是輻照氣氛的影響。為了研究歐姆電極的層間擴(kuò)散，照射前用俄歇分析，將AulNi／AuGe三層徹底分開，并把該樣片置于濕空氣Ail，02 -HzO，N2 /02 -H20，干O：，干N。/02，H。O等氣氛中，用7射線進(jìn)行輻照，然后進(jìn)行表面狀態(tài)的觀察和俄歇分析。結(jié)果表明，由于O。和N。/02中含有水分，促使了歐姆電極的損傷。
相關(guān)技術(shù)資料- 4-28有關(guān)y線輻照效應(yīng)
- 4-27金屬化工藝對(duì)器件可靠性的影響及其工藝控制要求
- 相關(guān)IC型號(hào)
- FMU22U
- 暫無最新型號(hào)
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