防止熱擊穿
發(fā)布時(shí)間:2012/5/11 19:52:11 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1106
圖4.2(c)是在圖4.2(b)電路中接入發(fā)射FM18L08-70-SG極電阻來(lái)吸收VF與V BE的電壓差,從而限制發(fā)射極電流的電路。空載時(shí)的集電極電流被限制在(VF-VBE)/R。
該電路比圖4.2(b)電路更加安全。但想減少空載時(shí)的集電極電流,則必須增大R的值。
例如,V與VBE酌電壓差為lOOmV時(shí)(Di,D2與Tri,Tr2的溫度差為40℃,約產(chǎn)生lOOmV的電壓差),為了將空載時(shí)的集電極電流控制在lOmA,則必須設(shè)定R=1 0Q。
這樣一來(lái),即使射極跟隨器的輸出阻抗為0,該電路的輸出阻抗也為ZO一10Q。
因該發(fā)射極電阻引發(fā)的損失,在大電流輸出的電路中就不能驅(qū)動(dòng)如揚(yáng)聲器那樣的低阻抗負(fù)載(揚(yáng)聲器的阻抗為6~8Q)。
還有一點(diǎn),該電路因溫度產(chǎn)生的電壓差僅由電阻吸收,所以沒(méi)有根本地解決空載電流隨溫度變動(dòng)的問(wèn)題。
圖4.2(c)是在圖4.2(b)電路中接入發(fā)射FM18L08-70-SG極電阻來(lái)吸收VF與V BE的電壓差,從而限制發(fā)射極電流的電路?蛰d時(shí)的集電極電流被限制在(VF-VBE)/R。
該電路比圖4.2(b)電路更加安全。但想減少空載時(shí)的集電極電流,則必須增大R的值。
例如,V與VBE酌電壓差為lOOmV時(shí)(Di,D2與Tri,Tr2的溫度差為40℃,約產(chǎn)生lOOmV的電壓差),為了將空載時(shí)的集電極電流控制在lOmA,則必須設(shè)定R=1 0Q。
這樣一來(lái),即使射極跟隨器的輸出阻抗為0,該電路的輸出阻抗也為ZO一10Q。
因該發(fā)射極電阻引發(fā)的損失,在大電流輸出的電路中就不能驅(qū)動(dòng)如揚(yáng)聲器那樣的低阻抗負(fù)載(揚(yáng)聲器的阻抗為6~8Q)。
還有一點(diǎn),該電路因溫度產(chǎn)生的電壓差僅由電阻吸收,所以沒(méi)有根本地解決空載電流隨溫度變動(dòng)的問(wèn)題。
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