圖3.31是使用N溝JFET和負(fù)CC1101RTKR電源的電路。如果用負(fù)電源使N溝JFET工作，就成為這樣的電路。即使使用負(fù)電源，基本的電路結(jié)構(gòu)完全沒有變化。輸入源變?yōu)镚ND，GND變?yōu)樨?fù)電源。但是必須注意電解電容器的極性。
    這個圖中，輸入信號是以GND為基準(zhǔn)，所以電路的電位比輸入輸出端低，耦合電容的極性是輸入輸出端一側(cè)為正極性（電路側(cè)為負(fù)極性）。如果這個電路的前后級電路也是采用負(fù)電源，那么必須在考慮耦合電路的直流電位后決定耦合電容的極性。
    由于源極的電位比GND低，所以源極接地的電解電容器的GND -側(cè)為正極性。

               
    這個電路的源極是直接由電容器接地的，所以電路的增益為gM×RD(參照式(3.20))。如果希望電路的增益更大些，可以選用gM更大的FET。增大RD值也可以提高增益，不過RD過于大將會增大RD上的電壓降，導(dǎo)致取不出最大輸出。
    如果沒有必要提高增益，那么可以去掉源極接地的電容器，通過調(diào)整源極電阻和漏極電阻值，重新設(shè)定增益。也可以采用圖3. 23所示的方法，即不改變電路的直流工作點只改變交流增益。