第2章曾經(jīng)講過“JFET的漏極CC1110F32RSP電流不能夠超過IDSS”。不過實(shí)際的JFET中能夠流過大于IDSS的電流。
    圖3. 32列出了N溝JFET 2SK330GR傳輸特性的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)。如圖2.7所示，JFET的柵極一溝道間是一個(gè)PN結(jié)，就是說存在一個(gè)二極管。圖3.32中，正的VGS值處于這個(gè)二極管未導(dǎo)通的范圍(VGs<+0.6～+0.7V)，

    這時(shí)，有大于IDSS的電流流過漏極。而且在IDSS附近VGS為正的范圍內(nèi)漏極電流對(duì)于VGS的變化是線性關(guān)系。當(dāng)然，對(duì)于P溝JFET也是同樣的（但是注意P溝JFET的VGS的極性不同）。
    這就是說，如果輸入信號(hào)的振幅小，那么即使Vcs一OV(所謂的零偏置)，JFET也能夠正常工作。