采用零偏置JFET的放大電路
發(fā)布時間:2012/5/21 20:46:34 訪問次數(shù):2925
圖3.33是利用JFET這種性質(zhì)的CC1120RHMR零偏置源極接地放大電路。這個電路的結(jié)構(gòu)簡單,應(yīng)用于話筒放大器或者高輸入阻抗的前置放大器等。
柵極偏置電路只用一個RG一lMt0,的電阻,將柵極偏置為與源極電位相同的OV(GND電平)(Vcs=OV)。因此,沒有信號輸入時的漏極電流就變成IDSS。
如果輸入端有電壓輸入,VGS就以O(shè)V為中心正負(fù)擺動(輸入電壓一VGs),漏極電流就以IDSS為中心增減。后面的電路與一般的源極接地放大電路相同,這個漏極電流的變化部分在RD上變換為電壓,作為輸出被取出。
由于是源極直接接地(沒有源極電阻),所以這個電路的電壓增益為gM×RD(參看式(3.20))。
考慮到所使用JFET的IDSS的分散性,取IDSS最大時RD上的電壓降為適當(dāng)?shù)闹,以此設(shè)定RD的值。
表3.2是圖3.33中電路所使用的JFET 2SK330的特性。由于2SK330GR的IDSS分散在2.6~6.5mA之間,設(shè)RD一620Q,當(dāng)IDSS一6.5mA時,RD上的電壓降為4V(一620Q×6.5mA)。這時的漏極電位為1V(=5V-4V).所以漏極電位就以這個電壓為中心擺動。
如果增大RD,電路的增益也提高。但是由于漏極電壓接近GND,所以取不出輸出振幅(當(dāng)然,RD上的電壓降超過電源電壓時也不能工作)。
當(dāng)希望提高電路的增益時,不應(yīng)該增大RD的值,而應(yīng)該選用gm大的JFET。
如果這個電路的輸入電壓為+0.6~+0.7V,由于柵極一源極間的二極管將會導(dǎo)通(作為放大電路就不能工作),所以不太能夠輸入較大振幅的信號。由圖3.32看出,線性輸入的電壓范圍為1.2Vp_p(-0.6~+0.6V)。
圖3.33是利用JFET這種性質(zhì)的CC1120RHMR零偏置源極接地放大電路。這個電路的結(jié)構(gòu)簡單,應(yīng)用于話筒放大器或者高輸入阻抗的前置放大器等。
柵極偏置電路只用一個RG一lMt0,的電阻,將柵極偏置為與源極電位相同的OV(GND電平)(Vcs=OV)。因此,沒有信號輸入時的漏極電流就變成IDSS。
如果輸入端有電壓輸入,VGS就以O(shè)V為中心正負(fù)擺動(輸入電壓一VGs),漏極電流就以IDSS為中心增減。后面的電路與一般的源極接地放大電路相同,這個漏極電流的變化部分在RD上變換為電壓,作為輸出被取出。
由于是源極直接接地(沒有源極電阻),所以這個電路的電壓增益為gM×RD(參看式(3.20))。
考慮到所使用JFET的IDSS的分散性,取IDSS最大時RD上的電壓降為適當(dāng)?shù)闹,以此設(shè)定RD的值。
表3.2是圖3.33中電路所使用的JFET 2SK330的特性。由于2SK330GR的IDSS分散在2.6~6.5mA之間,設(shè)RD一620Q,當(dāng)IDSS一6.5mA時,RD上的電壓降為4V(一620Q×6.5mA)。這時的漏極電位為1V(=5V-4V).所以漏極電位就以這個電壓為中心擺動。
如果增大RD,電路的增益也提高。但是由于漏極電壓接近GND,所以取不出輸出振幅(當(dāng)然,RD上的電壓降超過電源電壓時也不能工作)。
當(dāng)希望提高電路的增益時,不應(yīng)該增大RD的值,而應(yīng)該選用gm大的JFET。
如果這個電路的輸入電壓為+0.6~+0.7V,由于柵極一源極間的二極管將會導(dǎo)通(作為放大電路就不能工作),所以不太能夠輸入較大振幅的信號。由圖3.32看出,線性輸入的電壓范圍為1.2Vp_p(-0.6~+0.6V)。
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