該電路中是用與MOSFET溫度特性LM3S6965-IQC50-A2完全不同的雙極型晶管進行溫度補償?shù)�，這種補償是否有效，需要驗證。我們通過測定空載電流的溫度變化，來確認溫度補償電路的工作。
    圖5.13是在恒溫槽——能夠改變測定物環(huán)境溫度的裝置中改變環(huán)境溫度測得的空載電流隨溫度的變化(空載電流在室溫下調(diào)整為30mA)。
    （這里使用的MOSFET在ID一30mA時具有正的溫度系數(shù)。但是電路整體呈現(xiàn)負溫度系數(shù)。這表明溫度補償電路處于過補償狀態(tài)）
    如從圖5.5所看到的那樣，對于這樣的MOSFET空載電流為30mA時應該具有正的溫度系數(shù)。但是，圖5. 13表明溫度愈高空載電流減小。這就是說電路整體呈現(xiàn)負的溫度系數(shù)。
    因此，補償有些道度了。不過也能夠說明溫度補償電路還是像設(shè)定的那樣在工作著。