低頻放大器的性能——頻率特性和噪聲特性
發(fā)布時(shí)間:2012/5/24 19:33:22 訪問次數(shù):673
圖5.14是低頻范圍電壓增益的LM3S811-IQN50-C2頻率特性(8CZ負(fù)載)。電壓增益如計(jì)算的那樣約為20dB。低頻截止頻率CL約1.4Hz，與由Cl和R2構(gòu)成的高通濾波器的截止頻率(1.6Hz)基本相等。
圖5.15是高頻范圍電壓增益的頻率特性（8Q負(fù)載）。高頻截止頻率CH約為186kHz，與由C2、R4構(gòu)成的低通濾波器的截止頻率(180kHz)基本相等。
圖5.16是輸入端短路時(shí)測得的輸出端噪聲頻譜圖(8fl負(fù)載)。由于MOS-FET作為電壓增益為OdB的源極跟隨器使用，可以認(rèn)為MOSFET幾乎不輸出噪聲。這就是說這個(gè)噪聲特性就是電壓放大級使用的OP放大器的特性。總之，作為功率放大器噪聲電平有些高。
圖5.14是低頻范圍電壓增益的LM3S811-IQN50-C2頻率特性(8CZ負(fù)載)。電壓增益如計(jì)算的那樣約為20dB。低頻截止頻率CL約1.4Hz，與由Cl和R2構(gòu)成的高通濾波器的截止頻率(1.6Hz)基本相等。
圖5.15是高頻范圍電壓增益的頻率特性（8Q負(fù)載）。高頻截止頻率CH約為186kHz，與由C2、R4構(gòu)成的低通濾波器的截止頻率(180kHz)基本相等。
圖5.16是輸入端短路時(shí)測得的輸出端噪聲頻譜圖(8fl負(fù)載)。由于MOS-FET作為電壓增益為OdB的源極跟隨器使用，可以認(rèn)為MOSFET幾乎不輸出噪聲。這就是說這個(gè)噪聲特性就是電壓放大級使用的OP放大器的特性�？傊鳛楣β史糯笃髟肼曤娖接行└�。
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- 5-24低頻放大器的性能——頻率特性和噪聲特性
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