源極跟隨器開關(guān)電路中需要注意的幾個問題
發(fā)布時間:2012/5/28 19:41:00 訪問次數(shù):586
采用JFET設(shè)計源極跟MTM30N50隨器型開關(guān)電路時，與源極接地型開關(guān)電路相同，必須注意ID的設(shè)定值與器件的IDSS。這是因為對于JFET來說不能夠取出大于IDSS的漏極電流。
電路中使用的JFET應(yīng)該選擇漏極一源極間耐壓高于電源電壓，IDSS大于FET導(dǎo)通時流過的漏極電流（流過RD的電流十由輸出端向外部提供的電流）的器件。
一般來說，像源極跟隨器型開關(guān)電路這樣的應(yīng)用中經(jīng)常要求取出大電流，所以與漏極電流受到IDSS限制的JFET相比，使用更多的是MOSFET或者雙極晶體管（射極跟隨器型開關(guān)電路）。
設(shè)計使用MOSFET的電路與JFET不同的是漏極電流不受限制，所以應(yīng)該選擇漏極一源極間電壓的最大額定值V DSS與柵極一源極間電壓的最大額定值VGSS大于電源電壓，漏極電流JD的最大額定值大于流過電路的漏極電流（流過RD的電流+．由輸出端向外部提供的電流）的器件。但是在使用MOSFET的場合，為了防止器件的靜電擊穿必須設(shè)置柵極偏置電阻Rc。
電路中使用的JFET應(yīng)該選擇漏極一源極間耐壓高于電源電壓，IDSS大于FET導(dǎo)通時流過的漏極電流（流過RD的電流十由輸出端向外部提供的電流）的器件。
一般來說，像源極跟隨器型開關(guān)電路這樣的應(yīng)用中經(jīng)常要求取出大電流，所以與漏極電流受到IDSS限制的JFET相比，使用更多的是MOSFET或者雙極晶體管（射極跟隨器型開關(guān)電路）。
設(shè)計使用MOSFET的電路與JFET不同的是漏極電流不受限制，所以應(yīng)該選擇漏極一源極間電壓的最大額定值V DSS與柵極一源極間電壓的最大額定值VGSS大于電源電壓，漏極電流JD的最大額定值大于流過電路的漏極電流（流過RD的電流+．由輸出端向外部提供的電流）的器件。但是在使用MOSFET的場合，為了防止器件的靜電擊穿必須設(shè)置柵極偏置電阻Rc。
采用JFET設(shè)計源極跟MTM30N50隨器型開關(guān)電路時，與源極接地型開關(guān)電路相同，必須注意ID的設(shè)定值與器件的IDSS。這是因為對于JFET來說不能夠取出大于IDSS的漏極電流。
電路中使用的JFET應(yīng)該選擇漏極一源極間耐壓高于電源電壓，IDSS大于FET導(dǎo)通時流過的漏極電流（流過RD的電流十由輸出端向外部提供的電流）的器件。
一般來說，像源極跟隨器型開關(guān)電路這樣的應(yīng)用中經(jīng)常要求取出大電流，所以與漏極電流受到IDSS限制的JFET相比，使用更多的是MOSFET或者雙極晶體管（射極跟隨器型開關(guān)電路）。
設(shè)計使用MOSFET的電路與JFET不同的是漏極電流不受限制，所以應(yīng)該選擇漏極一源極間電壓的最大額定值V DSS與柵極一源極間電壓的最大額定值VGSS大于電源電壓，漏極電流JD的最大額定值大于流過電路的漏極電流（流過RD的電流+．由輸出端向外部提供的電流）的器件。但是在使用MOSFET的場合，為了防止器件的靜電擊穿必須設(shè)置柵極偏置電阻Rc。
電路中使用的JFET應(yīng)該選擇漏極一源極間耐壓高于電源電壓，IDSS大于FET導(dǎo)通時流過的漏極電流（流過RD的電流十由輸出端向外部提供的電流）的器件。
一般來說，像源極跟隨器型開關(guān)電路這樣的應(yīng)用中經(jīng)常要求取出大電流，所以與漏極電流受到IDSS限制的JFET相比，使用更多的是MOSFET或者雙極晶體管（射極跟隨器型開關(guān)電路）。
設(shè)計使用MOSFET的電路與JFET不同的是漏極電流不受限制，所以應(yīng)該選擇漏極一源極間電壓的最大額定值V DSS與柵極一源極間電壓的最大額定值VGSS大于電源電壓，漏極電流JD的最大額定值大于流過電路的漏極電流（流過RD的電流+．由輸出端向外部提供的電流）的器件。但是在使用MOSFET的場合，為了防止器件的靜電擊穿必須設(shè)置柵極偏置電阻Rc。
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