構(gòu)成圖10.3那樣的電路形式時，存在的問PTH05010WAH題是源極跟隨器型開關(guān)電路部分(Sl，S3)的MOSFET的柵極如何驅(qū)動。圖10.3的電路中S2和S4是源極接地型開關(guān)電路，源極直接接地。因此MOSFET的柵極電位為OV時截止，達(dá)到正幾伏時導(dǎo)通（參看第9章）。但是Sl和S3是源極跟隨器型開關(guān)電路，如圖10.4所示如果柵極電位沒有比H電橋的電源V cc高出幾伏，就不能夠使器件完全導(dǎo)通。所以對于圖10.3那樣的電路結(jié)構(gòu)，必須設(shè)法使MOSFET的驅(qū)動電路使用的電源要比}-I電橋的電源電壓更高。
    如果為了驅(qū)動MOSFET而再從外部提供電源就比較麻煩，所以這里還是應(yīng)該從電路內(nèi)部想辦法如何制作電源。我們知道MOSFET的柵極上沒有電流流動，所以即使采用容量比較小的電源也無所謂。圖10.3的電路沒有使用晶體管作開關(guān)器件，可以說是“MOSFET構(gòu)成的電路”。關(guān)于這種電源電路的結(jié)構(gòu)將在10.2節(jié)中說明。