元器件選擇
發(fā)布時(shí)間:2012/6/19 19:41:53 訪問(wèn)次數(shù):1358
本次制作用到的元器件種THF51T類規(guī)格較多,附表為本次制作的元器件清單。需要引起注意的是,我所用的開關(guān)電源電壓為±30V,表中的元件參數(shù)也是在這一條件下給出的,如果電源電壓提高,多項(xiàng)參數(shù)也需要改變。
首先是C12、C13這兩個(gè)主濾波電容的耐壓要高于電源電壓,這一點(diǎn)相信大家都會(huì)注意到。如果電源電壓改變,R3、R12與R17的阻值和功率也要根據(jù)計(jì)算做出相應(yīng)變化。R3、R12上的電壓為電源電壓V+減去5.6V,流過(guò)R3、R12的電流約10mA,由此不難估算出其阻值與功率。R17-方面可以減少7812上的功耗,使7812免去對(duì)散熱器的需求,另一方面可以分去部分電壓,避免7812因輸入電壓過(guò)高而損壞。IR公司評(píng)估板上使用的是晶體管加穩(wěn)壓二極管組成的串聯(lián)穩(wěn)壓電路,這種方式不需要考慮輸入過(guò)壓的問(wèn)題,但調(diào)整管需要加散熱器。
然后關(guān)注一下后級(jí)的半橋電路IRF14019。該器件內(nèi)部集成了兩個(gè)相同的N溝道音頻專用MOS管,這種MOS管是快速恢復(fù)型的,響應(yīng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于普通的MOS管,用于高速開關(guān)的D類功放中,大大減小了MOS管的開關(guān)損耗,提高了效率。當(dāng)然,這里也可以使用其他型號(hào)的音頻專用MOS管,如IR公司的DirectFFT系列,但本制作為單面PCB,不宜采用。
接下來(lái)說(shuō)到D類音頻功放中最重要的器件——輸出濾波電感和電容。首先在參數(shù)方面,按圖中的參數(shù)取值,4Q兔載下的帶寬(-ldB)約25kHz,但在80時(shí)變化到50kHz。如果要增加帶寬,可以適當(dāng)改變L1與G9的參數(shù).L1可以減小到lOuH。最后我選擇了10UH的電感和0.68“F的電容,4Q負(fù)載下的帶寬約30kHz,8Q時(shí)約22kHz(Multisiml0仿真結(jié)果)。在介質(zhì)材料的選擇方面,有機(jī)薄膜電容適合于用作輸出濾波電容,這里選耐壓為250V的WIMA電容。電感磁芯的選取是至關(guān)重要的,本次制作經(jīng)過(guò)測(cè)試驗(yàn)證,最終找到了比較合適的磁芯材料,詳細(xì)過(guò)程將在后文提到。
最后提到二極管和電解電容。圖中VD2為高速開關(guān)二極管,要求耐壓大于2V+,并具有滿足開關(guān)頻率的要求,評(píng)估板上推薦的型號(hào)BAV19WS不好買,這里使用了常見的1N4148代替。查閱手冊(cè)可知,耐壓和開關(guān)速度方面,1N4148完全符合要求。C7的耐壓只需要高于vcc端相對(duì)于V一的電壓即可,并且最好選用漏電較小的優(yōu)質(zhì)鋁電解電容或者鉭電解電容,其余10uF的電解電容均為nichicon公司的音頻專用電容,用作電源退耦和音頻耦合。
首先是C12、C13這兩個(gè)主濾波電容的耐壓要高于電源電壓,這一點(diǎn)相信大家都會(huì)注意到。如果電源電壓改變,R3、R12與R17的阻值和功率也要根據(jù)計(jì)算做出相應(yīng)變化。R3、R12上的電壓為電源電壓V+減去5.6V,流過(guò)R3、R12的電流約10mA,由此不難估算出其阻值與功率。R17-方面可以減少7812上的功耗,使7812免去對(duì)散熱器的需求,另一方面可以分去部分電壓,避免7812因輸入電壓過(guò)高而損壞。IR公司評(píng)估板上使用的是晶體管加穩(wěn)壓二極管組成的串聯(lián)穩(wěn)壓電路,這種方式不需要考慮輸入過(guò)壓的問(wèn)題,但調(diào)整管需要加散熱器。
然后關(guān)注一下后級(jí)的半橋電路IRF14019。該器件內(nèi)部集成了兩個(gè)相同的N溝道音頻專用MOS管,這種MOS管是快速恢復(fù)型的,響應(yīng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于普通的MOS管,用于高速開關(guān)的D類功放中,大大減小了MOS管的開關(guān)損耗,提高了效率。當(dāng)然,這里也可以使用其他型號(hào)的音頻專用MOS管,如IR公司的DirectFFT系列,但本制作為單面PCB,不宜采用。
接下來(lái)說(shuō)到D類音頻功放中最重要的器件——輸出濾波電感和電容。首先在參數(shù)方面,按圖中的參數(shù)取值,4Q兔載下的帶寬(-ldB)約25kHz,但在80時(shí)變化到50kHz。如果要增加帶寬,可以適當(dāng)改變L1與G9的參數(shù).L1可以減小到lOuH。最后我選擇了10UH的電感和0.68“F的電容,4Q負(fù)載下的帶寬約30kHz,8Q時(shí)約22kHz(Multisiml0仿真結(jié)果)。在介質(zhì)材料的選擇方面,有機(jī)薄膜電容適合于用作輸出濾波電容,這里選耐壓為250V的WIMA電容。電感磁芯的選取是至關(guān)重要的,本次制作經(jīng)過(guò)測(cè)試驗(yàn)證,最終找到了比較合適的磁芯材料,詳細(xì)過(guò)程將在后文提到。
最后提到二極管和電解電容。圖中VD2為高速開關(guān)二極管,要求耐壓大于2V+,并具有滿足開關(guān)頻率的要求,評(píng)估板上推薦的型號(hào)BAV19WS不好買,這里使用了常見的1N4148代替。查閱手冊(cè)可知,耐壓和開關(guān)速度方面,1N4148完全符合要求。C7的耐壓只需要高于vcc端相對(duì)于V一的電壓即可,并且最好選用漏電較小的優(yōu)質(zhì)鋁電解電容或者鉭電解電容,其余10uF的電解電容均為nichicon公司的音頻專用電容,用作電源退耦和音頻耦合。
本次制作用到的元器件種THF51T類規(guī)格較多,附表為本次制作的元器件清單。需要引起注意的是,我所用的開關(guān)電源電壓為±30V,表中的元件參數(shù)也是在這一條件下給出的,如果電源電壓提高,多項(xiàng)參數(shù)也需要改變。
首先是C12、C13這兩個(gè)主濾波電容的耐壓要高于電源電壓,這一點(diǎn)相信大家都會(huì)注意到。如果電源電壓改變,R3、R12與R17的阻值和功率也要根據(jù)計(jì)算做出相應(yīng)變化。R3、R12上的電壓為電源電壓V+減去5.6V,流過(guò)R3、R12的電流約10mA,由此不難估算出其阻值與功率。R17-方面可以減少7812上的功耗,使7812免去對(duì)散熱器的需求,另一方面可以分去部分電壓,避免7812因輸入電壓過(guò)高而損壞。IR公司評(píng)估板上使用的是晶體管加穩(wěn)壓二極管組成的串聯(lián)穩(wěn)壓電路,這種方式不需要考慮輸入過(guò)壓的問(wèn)題,但調(diào)整管需要加散熱器。
然后關(guān)注一下后級(jí)的半橋電路IRF14019。該器件內(nèi)部集成了兩個(gè)相同的N溝道音頻專用MOS管,這種MOS管是快速恢復(fù)型的,響應(yīng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于普通的MOS管,用于高速開關(guān)的D類功放中,大大減小了MOS管的開關(guān)損耗,提高了效率。當(dāng)然,這里也可以使用其他型號(hào)的音頻專用MOS管,如IR公司的DirectFFT系列,但本制作為單面PCB,不宜采用。
接下來(lái)說(shuō)到D類音頻功放中最重要的器件——輸出濾波電感和電容。首先在參數(shù)方面,按圖中的參數(shù)取值,4Q兔載下的帶寬(-ldB)約25kHz,但在80時(shí)變化到50kHz。如果要增加帶寬,可以適當(dāng)改變L1與G9的參數(shù).L1可以減小到lOuH。最后我選擇了10UH的電感和0.68“F的電容,4Q負(fù)載下的帶寬約30kHz,8Q時(shí)約22kHz(Multisiml0仿真結(jié)果)。在介質(zhì)材料的選擇方面,有機(jī)薄膜電容適合于用作輸出濾波電容,這里選耐壓為250V的WIMA電容。電感磁芯的選取是至關(guān)重要的,本次制作經(jīng)過(guò)測(cè)試驗(yàn)證,最終找到了比較合適的磁芯材料,詳細(xì)過(guò)程將在后文提到。
最后提到二極管和電解電容。圖中VD2為高速開關(guān)二極管,要求耐壓大于2V+,并具有滿足開關(guān)頻率的要求,評(píng)估板上推薦的型號(hào)BAV19WS不好買,這里使用了常見的1N4148代替。查閱手冊(cè)可知,耐壓和開關(guān)速度方面,1N4148完全符合要求。C7的耐壓只需要高于vcc端相對(duì)于V一的電壓即可,并且最好選用漏電較小的優(yōu)質(zhì)鋁電解電容或者鉭電解電容,其余10uF的電解電容均為nichicon公司的音頻專用電容,用作電源退耦和音頻耦合。
首先是C12、C13這兩個(gè)主濾波電容的耐壓要高于電源電壓,這一點(diǎn)相信大家都會(huì)注意到。如果電源電壓改變,R3、R12與R17的阻值和功率也要根據(jù)計(jì)算做出相應(yīng)變化。R3、R12上的電壓為電源電壓V+減去5.6V,流過(guò)R3、R12的電流約10mA,由此不難估算出其阻值與功率。R17-方面可以減少7812上的功耗,使7812免去對(duì)散熱器的需求,另一方面可以分去部分電壓,避免7812因輸入電壓過(guò)高而損壞。IR公司評(píng)估板上使用的是晶體管加穩(wěn)壓二極管組成的串聯(lián)穩(wěn)壓電路,這種方式不需要考慮輸入過(guò)壓的問(wèn)題,但調(diào)整管需要加散熱器。
然后關(guān)注一下后級(jí)的半橋電路IRF14019。該器件內(nèi)部集成了兩個(gè)相同的N溝道音頻專用MOS管,這種MOS管是快速恢復(fù)型的,響應(yīng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于普通的MOS管,用于高速開關(guān)的D類功放中,大大減小了MOS管的開關(guān)損耗,提高了效率。當(dāng)然,這里也可以使用其他型號(hào)的音頻專用MOS管,如IR公司的DirectFFT系列,但本制作為單面PCB,不宜采用。
接下來(lái)說(shuō)到D類音頻功放中最重要的器件——輸出濾波電感和電容。首先在參數(shù)方面,按圖中的參數(shù)取值,4Q兔載下的帶寬(-ldB)約25kHz,但在80時(shí)變化到50kHz。如果要增加帶寬,可以適當(dāng)改變L1與G9的參數(shù).L1可以減小到lOuH。最后我選擇了10UH的電感和0.68“F的電容,4Q負(fù)載下的帶寬約30kHz,8Q時(shí)約22kHz(Multisiml0仿真結(jié)果)。在介質(zhì)材料的選擇方面,有機(jī)薄膜電容適合于用作輸出濾波電容,這里選耐壓為250V的WIMA電容。電感磁芯的選取是至關(guān)重要的,本次制作經(jīng)過(guò)測(cè)試驗(yàn)證,最終找到了比較合適的磁芯材料,詳細(xì)過(guò)程將在后文提到。
最后提到二極管和電解電容。圖中VD2為高速開關(guān)二極管,要求耐壓大于2V+,并具有滿足開關(guān)頻率的要求,評(píng)估板上推薦的型號(hào)BAV19WS不好買,這里使用了常見的1N4148代替。查閱手冊(cè)可知,耐壓和開關(guān)速度方面,1N4148完全符合要求。C7的耐壓只需要高于vcc端相對(duì)于V一的電壓即可,并且最好選用漏電較小的優(yōu)質(zhì)鋁電解電容或者鉭電解電容,其余10uF的電解電容均為nichicon公司的音頻專用電容,用作電源退耦和音頻耦合。
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