電路簡介
發(fā)布時間:2012/6/19 19:36:43 訪問次數(shù):1116
IRS2092是舊公司的D類音頻功BDY56放驅(qū)動芯片,與舊公司的D類音頻專用MOS管配合使用,可以實現(xiàn)大功率(高達500w)、高性能D類音頻功放的設(shè)計。是本次制作的電路原理圖,下面根據(jù)該原理圖,對電路功能作一簡單介紹。
從圖中可以看出,IRS2092需要兩組電源,一組以負電壓為參考的+12V電源,送AVCC端,用于MOS管半橋驅(qū)動,這里使用了一個7812用作穩(wěn)壓。為了減小781 2上的功耗,根據(jù)電源電壓的大小串接電阻R17。另一組正負對稱的電源分別送入VAA和VSS端,用作內(nèi)部誤差放大器電源,芯片內(nèi)部自帶穩(wěn)壓二極管,將VAA與VSS端電壓穩(wěn)定在±5.6V左右。如果使用一對7805和7905穩(wěn)壓后給VAA與VSS供電,可能會有更好的效果,此時內(nèi)部穩(wěn)壓管不工作。 ’
R1、R2、R10構(gòu)成反饋電路,決定了功放的電壓增益,由于R2影響內(nèi)部積分時長,也就是說振蕩頻率會隨著R2改變,所以調(diào)整電壓增益時最好保持R2數(shù)值不變,改變R1的數(shù)值。此外,R1和C1決定了放大器輸入回路的下限截止頻率,這也是大家熟知的。按圖中參數(shù)取值,放大器的電壓增益約為14.5V/V,輸入回路下限截止額率約5Hz。對于一般的音源,這一電壓增益是不夠的,而輸入電阻Rl本來就不算大,不宜通過減小Rl的方式來提高電壓增益,所以通常情況下,給功放加一級前級電壓放大是必要的。
R4、C3、C5的參數(shù)決定了芯片內(nèi)部的振蕩頻率,IRS2092支持振蕩頻率在幾十千赫茲到800kHz之間。對于D類音頻功放,這一頻率不小于音頻的10倍,如果以音頻最高頻率計算,即不小于200kHz。頻率越高,流過電感的高次諧波電流越小,但是MOS管的開關(guān)損耗以及電感的磁芯損耗也會隨之增加,所以調(diào)制頻率需要折中考慮。JR公司設(shè)計指南推薦的調(diào)制頻率為4CC4<-1z左右。
R13、R14用于半橋低邊MOS管的過流保護設(shè)置,R15、R16用于MOS管的死區(qū)時間設(shè)置,這些參數(shù)的設(shè)置需要考慮電路的電源電壓、所選的MOS管型號以及調(diào)制頻率等因素,具體的計算方法可以參照IRS2092設(shè)計指南的詳細說明。
輸出級電路采用的是半橋式的驅(qū)動方式,要求電源為正負對稱的形式,但和全橋的方式相比,解調(diào)(或者叫濾波)電感和電容的數(shù)量減少了一半,這使得成本(特別是電感)相對降低。另外,由于工作時只有一個MOS管導通,MOS管的上損耗也減小了一半,所以效率鞍全橋形式有所提高。
從圖中可以看出,IRS2092需要兩組電源,一組以負電壓為參考的+12V電源,送AVCC端,用于MOS管半橋驅(qū)動,這里使用了一個7812用作穩(wěn)壓。為了減小781 2上的功耗,根據(jù)電源電壓的大小串接電阻R17。另一組正負對稱的電源分別送入VAA和VSS端,用作內(nèi)部誤差放大器電源,芯片內(nèi)部自帶穩(wěn)壓二極管,將VAA與VSS端電壓穩(wěn)定在±5.6V左右。如果使用一對7805和7905穩(wěn)壓后給VAA與VSS供電,可能會有更好的效果,此時內(nèi)部穩(wěn)壓管不工作。 ’
R1、R2、R10構(gòu)成反饋電路,決定了功放的電壓增益,由于R2影響內(nèi)部積分時長,也就是說振蕩頻率會隨著R2改變,所以調(diào)整電壓增益時最好保持R2數(shù)值不變,改變R1的數(shù)值。此外,R1和C1決定了放大器輸入回路的下限截止頻率,這也是大家熟知的。按圖中參數(shù)取值,放大器的電壓增益約為14.5V/V,輸入回路下限截止額率約5Hz。對于一般的音源,這一電壓增益是不夠的,而輸入電阻Rl本來就不算大,不宜通過減小Rl的方式來提高電壓增益,所以通常情況下,給功放加一級前級電壓放大是必要的。
R4、C3、C5的參數(shù)決定了芯片內(nèi)部的振蕩頻率,IRS2092支持振蕩頻率在幾十千赫茲到800kHz之間。對于D類音頻功放,這一頻率不小于音頻的10倍,如果以音頻最高頻率計算,即不小于200kHz。頻率越高,流過電感的高次諧波電流越小,但是MOS管的開關(guān)損耗以及電感的磁芯損耗也會隨之增加,所以調(diào)制頻率需要折中考慮。JR公司設(shè)計指南推薦的調(diào)制頻率為4CC4<-1z左右。
R13、R14用于半橋低邊MOS管的過流保護設(shè)置,R15、R16用于MOS管的死區(qū)時間設(shè)置,這些參數(shù)的設(shè)置需要考慮電路的電源電壓、所選的MOS管型號以及調(diào)制頻率等因素,具體的計算方法可以參照IRS2092設(shè)計指南的詳細說明。
輸出級電路采用的是半橋式的驅(qū)動方式,要求電源為正負對稱的形式,但和全橋的方式相比,解調(diào)(或者叫濾波)電感和電容的數(shù)量減少了一半,這使得成本(特別是電感)相對降低。另外,由于工作時只有一個MOS管導通,MOS管的上損耗也減小了一半,所以效率鞍全橋形式有所提高。
IRS2092是舊公司的D類音頻功BDY56放驅(qū)動芯片,與舊公司的D類音頻專用MOS管配合使用,可以實現(xiàn)大功率(高達500w)、高性能D類音頻功放的設(shè)計。是本次制作的電路原理圖,下面根據(jù)該原理圖,對電路功能作一簡單介紹。
從圖中可以看出,IRS2092需要兩組電源,一組以負電壓為參考的+12V電源,送AVCC端,用于MOS管半橋驅(qū)動,這里使用了一個7812用作穩(wěn)壓。為了減小781 2上的功耗,根據(jù)電源電壓的大小串接電阻R17。另一組正負對稱的電源分別送入VAA和VSS端,用作內(nèi)部誤差放大器電源,芯片內(nèi)部自帶穩(wěn)壓二極管,將VAA與VSS端電壓穩(wěn)定在±5.6V左右。如果使用一對7805和7905穩(wěn)壓后給VAA與VSS供電,可能會有更好的效果,此時內(nèi)部穩(wěn)壓管不工作。 ’
R1、R2、R10構(gòu)成反饋電路,決定了功放的電壓增益,由于R2影響內(nèi)部積分時長,也就是說振蕩頻率會隨著R2改變,所以調(diào)整電壓增益時最好保持R2數(shù)值不變,改變R1的數(shù)值。此外,R1和C1決定了放大器輸入回路的下限截止頻率,這也是大家熟知的。按圖中參數(shù)取值,放大器的電壓增益約為14.5V/V,輸入回路下限截止額率約5Hz。對于一般的音源,這一電壓增益是不夠的,而輸入電阻Rl本來就不算大,不宜通過減小Rl的方式來提高電壓增益,所以通常情況下,給功放加一級前級電壓放大是必要的。
R4、C3、C5的參數(shù)決定了芯片內(nèi)部的振蕩頻率,IRS2092支持振蕩頻率在幾十千赫茲到800kHz之間。對于D類音頻功放,這一頻率不小于音頻的10倍,如果以音頻最高頻率計算,即不小于200kHz。頻率越高,流過電感的高次諧波電流越小,但是MOS管的開關(guān)損耗以及電感的磁芯損耗也會隨之增加,所以調(diào)制頻率需要折中考慮。JR公司設(shè)計指南推薦的調(diào)制頻率為4CC4<-1z左右。
R13、R14用于半橋低邊MOS管的過流保護設(shè)置,R15、R16用于MOS管的死區(qū)時間設(shè)置,這些參數(shù)的設(shè)置需要考慮電路的電源電壓、所選的MOS管型號以及調(diào)制頻率等因素,具體的計算方法可以參照IRS2092設(shè)計指南的詳細說明。
輸出級電路采用的是半橋式的驅(qū)動方式,要求電源為正負對稱的形式,但和全橋的方式相比,解調(diào)(或者叫濾波)電感和電容的數(shù)量減少了一半,這使得成本(特別是電感)相對降低。另外,由于工作時只有一個MOS管導通,MOS管的上損耗也減小了一半,所以效率鞍全橋形式有所提高。
從圖中可以看出,IRS2092需要兩組電源,一組以負電壓為參考的+12V電源,送AVCC端,用于MOS管半橋驅(qū)動,這里使用了一個7812用作穩(wěn)壓。為了減小781 2上的功耗,根據(jù)電源電壓的大小串接電阻R17。另一組正負對稱的電源分別送入VAA和VSS端,用作內(nèi)部誤差放大器電源,芯片內(nèi)部自帶穩(wěn)壓二極管,將VAA與VSS端電壓穩(wěn)定在±5.6V左右。如果使用一對7805和7905穩(wěn)壓后給VAA與VSS供電,可能會有更好的效果,此時內(nèi)部穩(wěn)壓管不工作。 ’
R1、R2、R10構(gòu)成反饋電路,決定了功放的電壓增益,由于R2影響內(nèi)部積分時長,也就是說振蕩頻率會隨著R2改變,所以調(diào)整電壓增益時最好保持R2數(shù)值不變,改變R1的數(shù)值。此外,R1和C1決定了放大器輸入回路的下限截止頻率,這也是大家熟知的。按圖中參數(shù)取值,放大器的電壓增益約為14.5V/V,輸入回路下限截止額率約5Hz。對于一般的音源,這一電壓增益是不夠的,而輸入電阻Rl本來就不算大,不宜通過減小Rl的方式來提高電壓增益,所以通常情況下,給功放加一級前級電壓放大是必要的。
R4、C3、C5的參數(shù)決定了芯片內(nèi)部的振蕩頻率,IRS2092支持振蕩頻率在幾十千赫茲到800kHz之間。對于D類音頻功放,這一頻率不小于音頻的10倍,如果以音頻最高頻率計算,即不小于200kHz。頻率越高,流過電感的高次諧波電流越小,但是MOS管的開關(guān)損耗以及電感的磁芯損耗也會隨之增加,所以調(diào)制頻率需要折中考慮。JR公司設(shè)計指南推薦的調(diào)制頻率為4CC4<-1z左右。
R13、R14用于半橋低邊MOS管的過流保護設(shè)置,R15、R16用于MOS管的死區(qū)時間設(shè)置,這些參數(shù)的設(shè)置需要考慮電路的電源電壓、所選的MOS管型號以及調(diào)制頻率等因素,具體的計算方法可以參照IRS2092設(shè)計指南的詳細說明。
輸出級電路采用的是半橋式的驅(qū)動方式,要求電源為正負對稱的形式,但和全橋的方式相比,解調(diào)(或者叫濾波)電感和電容的數(shù)量減少了一半,這使得成本(特別是電感)相對降低。另外,由于工作時只有一個MOS管導通,MOS管的上損耗也減小了一半,所以效率鞍全橋形式有所提高。
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