使用N溝JFET和負電源的電路
發(fā)布時間:2012/8/16 20:18:15 訪問次數(shù):1543
圖3.31是使用N溝JFET和負LM393N電源的電路。如果用負電源使N溝JFET工作,就成為這樣的電路。即使使用負電源,基本的電路結(jié)構(gòu)完全沒有變化。
與使用正電源的電路不同之處只是正電源變?yōu)镚ND,GND變?yōu)樨撾娫。但是必須注意電解電容器的極性。
這個圖中,輸入信號是以GND為基準(zhǔn),所以電路的電位比輸入輸出端低,耦合電容的極性是輸入輸出端一側(cè)為正極性(電路側(cè)為負極性)。如果這個電路的前后級電路也是采用負電源,那么必須在考慮耦合電路的直流電位后決定耦合電容的極性。
由于源極的電位比GND低,所以源極接地的電解電容器的GND -側(cè)為正極性。
這個電路的源極是直接由電容器接地的,所以電路的增益為g!罵D(參照式(3.20))。如果希望電路的增益更大些,可以選用g。更大的FET。增大RD,值也可以提高增益,不過RD過于大將會增大RD上的電壓降,導(dǎo)致取不出最大輸出。
如果沒有必要提高增益,那么可以去掉源極接地的電容器,通過調(diào)整源極電阻和漏極電阻值,重新設(shè)定增益。也可以采用圖3. 23所示的方法,即不改變電路的直流工作點只改變交流增益。
圖3.31是使用N溝JFET和負LM393N電源的電路。如果用負電源使N溝JFET工作,就成為這樣的電路。即使使用負電源,基本的電路結(jié)構(gòu)完全沒有變化。
與使用正電源的電路不同之處只是正電源變?yōu)镚ND,GND變?yōu)樨撾娫。但是必須注意電解電容器的極性。
這個圖中,輸入信號是以GND為基準(zhǔn),所以電路的電位比輸入輸出端低,耦合電容的極性是輸入輸出端一側(cè)為正極性(電路側(cè)為負極性)。如果這個電路的前后級電路也是采用負電源,那么必須在考慮耦合電路的直流電位后決定耦合電容的極性。
由于源極的電位比GND低,所以源極接地的電解電容器的GND -側(cè)為正極性。
這個電路的源極是直接由電容器接地的,所以電路的增益為g!罵D(參照式(3.20))。如果希望電路的增益更大些,可以選用g。更大的FET。增大RD,值也可以提高增益,不過RD過于大將會增大RD上的電壓降,導(dǎo)致取不出最大輸出。
如果沒有必要提高增益,那么可以去掉源極接地的電容器,通過調(diào)整源極電阻和漏極電阻值,重新設(shè)定增益。也可以采用圖3. 23所示的方法,即不改變電路的直流工作點只改變交流增益。
上一篇:總諧波失真
上一篇:使用零偏置JFET的電路
熱門點擊
- SOT-143封裝
- 集成功率放大器的芯片
- 放大接收電波的高頻(RF)放大電路
- 示波器面板結(jié)構(gòu)及說明
- 音效驅(qū)鳥器電路
- 焊接溫度和時間
- 視頻放大器
- 使用N溝JFET和負電源的電路
- 測量電阻
- 二極管的電氣特性
推薦技術(shù)資料
- Nuclei lntellig
- RISC-V子系統(tǒng)模式技術(shù)結(jié)構(gòu)
- 物理量子比特量子芯片Willo
- MPS電源管理一站式解決方案詳情
- 薄緩沖層AlGaN/GaN外延
- 2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究