如果能使墓極電流達(dá)到集SN74LS11N極電流的l/hFE倍，晶體管將處于導(dǎo)通狀態(tài)�？紤]到hFE的分散性或者基極電流受溫度影響而變化等因素（因?yàn)锽E具有溫度特性，所以基極電流也隨溫度變化），應(yīng)該使流過(guò)的基極電流稍大些。這叫做過(guò)驅(qū)動(dòng)，通常設(shè)定為按所使用晶體管^ FE的最低值計(jì)算得到的基極電流的1.5～2倍以上。
   由表8.1得知2SC2458的hFE最低值是70，圖8.5中電路的負(fù)載電流為5mA，所以可以設(shè)定流過(guò)的基極電流大于0. ImA《5mA/70)×1.5)～0.14mA《5mA/70)×2)。
    如圖8. 11所示，由于基極電位是+0. 6V，所以輸入信號(hào)為+5V時(shí)R．上產(chǎn)生的電壓降為4.4V(但是要注意，達(dá)林頓連接時(shí)基極電位為+1.2V)。
    按照上述條件，為使晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)要求流過(guò)的基極電流為0.2mA，所以Ri=22kQ(一4.4V／O.2mA)（但是忽略了流過(guò)R2的電流）。
    Rz是輸入端開(kāi)路時(shí)確保晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)的電阻。如果R2過(guò)大，將容易受噪聲的干擾，過(guò)小則在晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)會(huì)有無(wú)用電流流過(guò)R2。這里設(shè)定R2=22kfl（與Ri值相同）。
    最近，已經(jīng)有些廠家產(chǎn)生出如圖8.12所示那樣內(nèi)藏有偏置電阻的晶體管產(chǎn)品。Ri、Rz電阻也有各種取值。如果使用內(nèi)藏電阻的晶體管將會(huì)減少電路的元件數(shù)目，這對(duì)于開(kāi)關(guān)電路是很方便的。