開關(guān)速度慢-US量級
發(fā)布時間:2012/8/21 19:14:47 訪問次數(shù):659
照片8.5是給圖8.5的SN74LS09N電路輸入lOOkHz、OV/+5V方波時的輸入輸出波形。當輸入信號鉚i從O變化到+5V時,晶體管立即由截止狀態(tài)變化到導(dǎo)通狀態(tài),輸出信號口。也立即響應(yīng),從+5V變化到OV。但是,當Vi從+5V變化到OV時,晶體管從導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止狀態(tài)時卻花費時間,砂。從OV變化到+5V時間滯后了2.8)us。
晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時有基極電流流過,所以在基區(qū)內(nèi)積累有電子。因此,在這種狀態(tài)下即使輸入信號變成了OV,基區(qū)中的電子并不能立即消失(電荷存儲效應(yīng))。而且在基極限流電阻Ri的作用下,也不可能立即從基區(qū)取出全部電子,這就是造成時間滯后的原因。在開關(guān)調(diào)節(jié)器之類使負載高速開關(guān)的應(yīng)用電路中,這種時間滯后是很不利的。
照片8.5是給圖8.5的SN74LS09N電路輸入lOOkHz、OV/+5V方波時的輸入輸出波形。當輸入信號鉚i從O變化到+5V時,晶體管立即由截止狀態(tài)變化到導(dǎo)通狀態(tài),輸出信號口。也立即響應(yīng),從+5V變化到OV。但是,當Vi從+5V變化到OV時,晶體管從導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止狀態(tài)時卻花費時間,砂。從OV變化到+5V時間滯后了2.8)us。
晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時有基極電流流過,所以在基區(qū)內(nèi)積累有電子。因此,在這種狀態(tài)下即使輸入信號變成了OV,基區(qū)中的電子并不能立即消失(電荷存儲效應(yīng))。而且在基極限流電阻Ri的作用下,也不可能立即從基區(qū)取出全部電子,這就是造成時間滯后的原因。在開關(guān)調(diào)節(jié)器之類使負載高速開關(guān)的應(yīng)用電路中,這種時間滯后是很不利的。
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