由于在這一暫穩(wěn)態(tài)時，輸W25X32BVSSIG出端U02電壓高于非門A輸入端電壓，這樣電容Cl先通過Rl放電（原先Cl上充到左正右負電壓），Cl上的電荷放完后，輸出端U02電壓開始對電容Cl進行反向充電，其充電回路是：非門B輸出端一C1一非門A輸入端，如圖6-122所示。這一兗電使電容Cl充到右正左負的電壓。
    隨著充電的進行，使非門A輸入端的電壓下降，當這一輸入電壓下降到一定程度后，電路再次開始翻轉(zhuǎn)，進入Uol為高電平、U02為低電平的暫穩(wěn)狀態(tài)。

         
    從上述電路分析可知，采用TTL門電路構(gòu)成的無穩(wěn)態(tài)電路與分立元器件構(gòu)成的無穩(wěn)態(tài)電路具有相同的電路特性。關于這一電路工作原理還要說明下列幾點。
    (1)對這種電路的分析方法主要是對非門電路的翻轉(zhuǎn)分析，以及對電容Cl的充電、放電回路分析。
    (2)上述電路從接通電源到電路進入振蕩狀態(tài)是通過電路的正反饋回路實現(xiàn)的，這一正反饋回路是：非門輸入端電壓t一非門A輸出端電壓I一非門B輸出端t一非門A輸入端電壓t（通過電容Cl，Cl兩端電壓不能突變）。
    (3)上述電路中，通過適當調(diào)整電阻Rl的阻值大小可以保證電路起振，一般電阻Rl的阻值為100～1000Q。
    (4)在電路工作頻率不高時，上述電路的振蕩周期T—2.3RC(R為電路中Rl的阻值，C為電路中Cl的容量)。如果電路的工作頻率很高時，振蕩周期要考慮到兩個非門A和B的延遲時間，所以振蕩周期丁還會長一些。