即使是射極跟隨器，在某些情況下，電流DM9000AEP增益還達(dá)不到要求。雙管的達(dá)林頓( Darlington)接法。這種接法將兩只管子有效地級(jí)聯(lián)起來，一只管子作為另一只管子的射極負(fù)載，如圖1.41所示。
    這兩只管子構(gòu)成了一只復(fù)合管。復(fù)合管有：VBE=1.4V, hFE（總）=hFElxhFE2。如果能派上用場(chǎng)，可以將達(dá)林頓復(fù)合管用于替換所有電路形式中的單只晶體管。通常是用于功率放大器的輸出級(jí)或電源電路昀輸出級(jí)。市場(chǎng)上也有以單只管子封裝出現(xiàn)的達(dá)林頓管出售，但如果你用分立晶體管來做，通�；ㄥX更少、效果更佳。

          
    關(guān)于雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)
    前面我們講到，雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)可視為發(fā)射極區(qū)與集電極區(qū)之間夾有基極區(qū)的三明治式�，F(xiàn)在，對(duì)此作進(jìn)一步研究，以便獲得更多有用的信息。
    當(dāng)基極區(qū)變厚時(shí)，就使得電子從發(fā)射極區(qū)傳送至集電極區(qū)的過程中，更容易被基極區(qū)所捕獲。這些被捕獲的電子成為基極電流，流出基極引腳。因此，辦，E的大小與基極區(qū)的厚度成反比。
    如果晶體管的集電極電流大，它的基極電流必定是成比例的大。為了避免這樣的基極電流造成基極區(qū)熔化，基極區(qū)須做厚。由于基極區(qū)變厚又會(huì)造成hFE的減少，為此，所需的基極電流必須還要更大一些，這又要求基極區(qū)需做得更厚一些。所以，hFE的大小與集電極電流最大允許值的平方成反比；大電流晶體管有較小的hFE。
    結(jié)構(gòu)上，晶體管的基極區(qū)將發(fā)射極區(qū)與集電極區(qū)隔離開來。為了防止基極區(qū)在電壓壓力下?lián)舸�，耐壓高的晶體管必須要厚的基極區(qū)。因此，高壓晶體管的hFE較小。
    為了避免集電極區(qū)熔化，大電流晶體管還必須要有硅芯片面積相當(dāng)大的集電極區(qū)——如此大的面積會(huì)使得集電極．基極電容增大。放大器件這個(gè)顯著的電容，會(huì)導(dǎo)致第2章講到的密勒效應(yīng)(Miller effect)更突出。就這點(diǎn)而言，此刻我們可以說，大電流晶體管速度較慢。