在許多情況下，MC9SDG128ECPV只是晶圓的正面經(jīng)過充分的化學(xué)機械拋光。背面留下從粗糙或腐蝕到光亮的外觀。對于某些器件的使用，背面可能會受到特殊的處理導(dǎo)致晶體缺陷，稱為背損傷( backside damage)。背損傷產(chǎn)生位錯的生長輻射進入晶圓，這些位錯現(xiàn)象是

陷阱，俘獲在制造工藝中引入的可移動金屬離子污染。這個俘獲現(xiàn)象又稱為吸雜( gettering)（見圖3.25）。背面噴沙是一種標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)，其他方法包括背面多晶層或氮化硅的淀積。

   對更大直徑晶圓的許多要求之一，是平整和平行的表面。許多300 mm晶圓的制造采用了雙面拋光，以獲得局部平整度在25 mm×25 mm測量面時小于0.25 ht,m到0.18 ym的規(guī)格要求9：1。缺點是在后面的工序中必須使用無劃傷和不污染背面的操作技術(shù)。