生產(chǎn)中考慮的首要參數(shù)是拋光速度， ADS7862Y影響拋光速度的因素有很多。上面描述的拋光墊的參數(shù)、磨料漿的種類和磨粉尺寸、磨料漿的化學(xué)成分，這些都是主要的因素。還有拋光墊壓力、旋轉(zhuǎn)速度；磨料漿的流速、磨料漿的黏度；拋光反應(yīng)室的溫度、濕度、晶圓直徑、圖形尺寸等，表面材料也是影響的因素。必須平衡以卜．所有因素以達(dá)到高的拋光速度且不使[藝失控，

   晶圓表面整體平整性，這是化學(xué)機(jī)械拋光的目標(biāo)，但隨著多層金屬設(shè)計(jì)的采用，這一日標(biāo)變得不埸達(dá)到．銅是一個(gè)特例，通過它可以看到一些化學(xué)機(jī)械拋光存在的基本問題。，銅被淀積在大馬十革圖形化工藝中的溝槽內(nèi)（見圖10. 33），導(dǎo)致中間密度低。在化學(xué)機(jī)械拋光過稃中，中間研磨更快，從而導(dǎo)致“盤形”出現(xiàn)，而且，在圖形密集區(qū)域，銅淀積密度也不同，引起各圖形研磨速度不一致。塞對(duì)于化學(xué)機(jī)械拋光來說也是個(gè)挑戰(zhàn)（見圖10. 34）。在初始化學(xué)機(jī)械拋光過程中，鎢表面中心會(huì)凹進(jìn)去而比周圍的氧化層低。需要氧化層緩沖來進(jìn)一步平坦化表面。301 1。

   在一些銅金屬化設(shè)計(jì)中，鉭被用來作為溝道中的阻擋層，阻

擋銅擴(kuò)散進(jìn)入硅中。然而，鉭的研磨遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于銅（在以銅為研磨圖10. 33銅溝槽的“盤形”目標(biāo)的磨料漿中），使得銅的研磨時(shí)間大大增加，而且更加使中間凹陷3。J。

   圖形形狀尺寸的不同也會(huì)導(dǎo)致去除速度的不同。更大面積的區(qū)域去除更快，而在晶圓表面留下凹陷的低地。

   還有，挑戰(zhàn)來自金屬的硬度（硬度不同，其拋光速率不同）和較軟聚合物材料的層間介質(zhì)( IDL)。盡管仍然存在各種挑戰(zhàn)，晶圓表面的平整度不得不控制在150 nm以下。