本書自始至終都在強(qiáng)調(diào)晶圓表面清潔的重要性�；瘜W(xué)機(jī)械拋光后的清潔恰恰體現(xiàn)丁這一重要性。 ADS7863IDBQ清潔面臨一些特殊的挑戰(zhàn)�；瘜W(xué)機(jī)械拋光是唯一有意在工藝過程中引人稱為磨粉的微粒。它們一般可以用機(jī)械刷拂去或用高壓水注沖去。學(xué)清潔一般采用與其他FEOL清洗相同的技術(shù)。

   精心挑選磨料漿的表面活性劑，調(diào)節(jié)pH值可以在磨料漿微粒和晶圓表面之間產(chǎn)生電的排斥作用。這一技術(shù)可以降低污染，特別是靜電吸附晶圓表面的污染物。

  銅污染要特別留意，因?yàn)橐坏┿~進(jìn)入硅中，會改變或降低電路元件的電性能。銅殘留應(yīng)減少到4×l013原子／C ffl2范圍i32]。 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備

  如果想成功地完成化學(xué)機(jī)械拋光工藝就需要有成熟的系統(tǒng)設(shè)備。生產(chǎn)用的設(shè)備包括晶圓傳遞機(jī)械手、在線測量和潔凈度監(jiān)測裝置。各種終結(jié)探測系統(tǒng)被用來監(jiān)控某一金屬磨盡了或達(dá)到指定的研磨厚度的信號�；瘜W(xué)機(jī)械拋光后清潔單元包括在主機(jī)室內(nèi)或通過傳遞機(jī)械手與主機(jī)室連接，目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)“干進(jìn)，f出”工藝。