化學(xué)機(jī)械拋光小結(jié)
發(fā)布時(shí)間:2015/11/4 22:07:29 訪問(wèn)次數(shù):524
化學(xué)機(jī)械拋光是一步關(guān)鍵的平坦化工藝,它需要平衡高度集成化和許多工藝參數(shù)。 ADS7863IRGET主要參數(shù)是:研磨墊的構(gòu)成、研磨墊的壓力、研磨墊旋轉(zhuǎn)速度、機(jī)臺(tái)旋轉(zhuǎn)速度、磨料漿的流速、磨料漿的化學(xué)成分、磨料漿的材料選擇。加之對(duì)光刻工藝平整度的改善,化學(xué)機(jī)械拋光使雙大馬十革圖形化和銅金屬化工藝得以實(shí)現(xiàn)。這一應(yīng)用將在第13章進(jìn)一步探討。
一螳器件設(shè)計(jì)使用一層或多層硬平整化涂層。通常淀積具有4%~5%硼摻雜的二氧化硅,稱為硼硅玻璃( BSG)。由于硼的存在使二氧化硅在相對(duì)低的溫度(小于500℃)下液化流動(dòng),形成平坦的表面。
另一種硬平坦化層為旋轉(zhuǎn)涂敷玻璃層( SOG)。玻璃層為二氧化硅和一種易揮發(fā)溶劑的混合體,旋轉(zhuǎn)涂敷在晶圓表面后,烘焙玻璃膜,留下平坦的二氧化硅膜。旋轉(zhuǎn)時(shí)玻璃是易碎的,有時(shí)在其中添加1%~10%的碳來(lái)增加抗裂性。
化學(xué)機(jī)械拋光是一步關(guān)鍵的平坦化工藝,它需要平衡高度集成化和許多工藝參數(shù)。 ADS7863IRGET主要參數(shù)是:研磨墊的構(gòu)成、研磨墊的壓力、研磨墊旋轉(zhuǎn)速度、機(jī)臺(tái)旋轉(zhuǎn)速度、磨料漿的流速、磨料漿的化學(xué)成分、磨料漿的材料選擇。加之對(duì)光刻工藝平整度的改善,化學(xué)機(jī)械拋光使雙大馬十革圖形化和銅金屬化工藝得以實(shí)現(xiàn)。這一應(yīng)用將在第13章進(jìn)一步探討。
一螳器件設(shè)計(jì)使用一層或多層硬平整化涂層。通常淀積具有4%~5%硼摻雜的二氧化硅,稱為硼硅玻璃( BSG)。由于硼的存在使二氧化硅在相對(duì)低的溫度(小于500℃)下液化流動(dòng),形成平坦的表面。
另一種硬平坦化層為旋轉(zhuǎn)涂敷玻璃層( SOG)。玻璃層為二氧化硅和一種易揮發(fā)溶劑的混合體,旋轉(zhuǎn)涂敷在晶圓表面后,烘焙玻璃膜,留下平坦的二氧化硅膜。旋轉(zhuǎn)時(shí)玻璃是易碎的,有時(shí)在其中添加1%~10%的碳來(lái)增加抗裂性。
上一篇:圖形反轉(zhuǎn)
熱門點(diǎn)擊
- 硅和水蒸氣反應(yīng)形成二氧化硅和氫氣
- CVD的工藝步驟
- 路燈桿內(nèi)裝有斷路器或熔斷器
- 離子注入掩膜
- 建筑細(xì)節(jié)處理
- 低k介質(zhì)材料
- 邊緣倒角和拋光
- 剝離工藝
- 指出CVD反應(yīng)室的組成
- 擴(kuò)散的概念
推薦技術(shù)資料
- 自制智能型ICL7135
- 表頭使ff11CL7135作為ADC,ICL7135是... [詳細(xì)]
- 全集成直接飛行時(shí)間(dToF)傳感器
- 2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)未
- GW2A系列FPGA芯片應(yīng)用參數(shù)
- DDR類儲(chǔ)存器接口解決方案
- 2.5G bps MIPI D
- 新一代 Arora-V系列FPGA產(chǎn)品詳情
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究