在曝光小尺寸圖形時，ADS7866IDBVR我們傾向于使用正膠，這一點(diǎn)茌前面已經(jīng)討論過了。其中一個原因就是正膠適于使用暗場掩模版做孔洞。暗場掩模版大部分被鉻覆蓋，因?yàn)殂t不會像玻璃一樣易損，所以缺陷比較少。然而，一些掩模版用來曝光島區(qū)，而不是孔洞，比如金屬層掩模版上是島區(qū)圖形。遺憾的是，用正膠做島區(qū)的光刻需要使用亮場掩模版，而它的玻璃容易損傷。

    一種使用正膠和暗場掩模版做出島區(qū)的工藝是圖像反轉(zhuǎn)。它采用了傳統(tǒng)的暗場掩模版成像方法（見圖10.36），在曝光結(jié)束后，光刻膠里的圖形與想要得到的圖形是相反的，也就是說，如果接著濕影的話，會得到孔洞而不是島區(qū)圖像反轉(zhuǎn)工藝的主要步驟為將涂膠的晶圓放置在有氨蒸氣的真空烘箱中。氨蒸氣穿透光刻膠，改變其    圖形極性。將晶圓從真空烘箱中取出，再進(jìn)行泛光曝光，  從而完成整個，圖形反轉(zhuǎn)工藝。氨氣烘焙和泛光曝光的效果是改變曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域的相對分解率，在接下來的顯影步驟便可以實(shí)現(xiàn)圖形反轉(zhuǎn)了。這一工藝可以實(shí)現(xiàn)與非圖形反轉(zhuǎn)工藝同樣的分辨率。