第一層金屬化工藝流程
發(fā)布時間:2015/11/8 18:35:23 訪問次數(shù):956
和刻蝕T藝或剝離技術將這些層不要的部分去掉;做完這一步之后,晶片表HIN232ECPZ面就留下了金屬細線,稱為“導線”( lead)、“金屬線”(metal line)或“互相連接”(interconnect)。通常來說,為了確保金屬和晶片之間具有較好的導電性能,經常在金屬的光刻之后加入一個熱處理步驟,或者稱為“合金化”( alloying)過程。這個基本過程如圖13.1所示。
圖13.1 第一層金屬化工藝流程
不管金屬化系統(tǒng)的結構如何,它必定符合以下條件:
·良好的電流負載能力(電流密度)
·與晶圓表面(通常是Si07)具有的良好的黏合性
·易于圖形化的工藝
·與晶圓材料具有良好的電接觸性能
·高純度
·耐腐蝕
·具有長期的穩(wěn)定性
·能夠淀積出均勻而且沒有“空洞”和“小丘”的薄膜
·均勻的顆粒結構
和刻蝕T藝或剝離技術將這些層不要的部分去掉;做完這一步之后,晶片表HIN232ECPZ面就留下了金屬細線,稱為“導線”( lead)、“金屬線”(metal line)或“互相連接”(interconnect)。通常來說,為了確保金屬和晶片之間具有較好的導電性能,經常在金屬的光刻之后加入一個熱處理步驟,或者稱為“合金化”( alloying)過程。這個基本過程如圖13.1所示。
圖13.1 第一層金屬化工藝流程
不管金屬化系統(tǒng)的結構如何,它必定符合以下條件:
·良好的電流負載能力(電流密度)
·與晶圓表面(通常是Si07)具有的良好的黏合性
·易于圖形化的工藝
·與晶圓材料具有良好的電接觸性能
·高純度
·耐腐蝕
·具有長期的穩(wěn)定性
·能夠淀積出均勻而且沒有“空洞”和“小丘”的薄膜
·均勻的顆粒結構
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