晶圓制造工藝在工藝控制、設(shè)備操AD8073JR作和材料制造方面要求很高的精確度。一個工藝錯誤就有可能導(dǎo)致晶圓的完全報廢。，一個致命的缺陷能毀掉·個芯片。在整個工藝過程中，晶圓和工藝質(zhì)量好壞的評估是通過大量的測試和測量得出的。測試主要是在工藝處理進(jìn)行中的晶圓、測試芯片、產(chǎn)品芯片和已完成的電路上進(jìn)行的。本章將描述個體的測試。統(tǒng)計制程控制將在第15章中介紹。

   度量衡學(xué)( Metrology)是用于物理表面特征測量的概括性術(shù)語。關(guān)注點(diǎn)包括圖形寬度、薄膜厚度、缺陷識別和定位及圖形記錄錯誤。一個好的特性曲線能為我們提供警告，以保證工藝不超出控制范圍。而器件特性是我們分析器件性能并使之與顧客的要求保持一致的基礎(chǔ)。因此，在工藝過程中的每一步，都有一系列嚴(yán)格受控的設(shè)備和工藝參數(shù)。例如，溫度、時間等。而且在每個重要的工藝步驟之后，都會在晶圓或測試晶圓上對工藝結(jié)果進(jìn)行評估c測試晶圓( te。t wafer)是指一些空白晶圓，或者一些專門為通過該項(xiàng)工藝后測試所用的晶圓。因?yàn)?/span>很多測試具有毀壞性，因此不能在有器件的晶圓上進(jìn)行此類測試，也不能在芯片中有實(shí)際組成的部分進(jìn)行此類測試。第7章至第13章已經(jīng)標(biāo)走了每道工藝的重要參數(shù)，例如，膜厚、電阻率和潔凈度等。這里將對測試方法的基本原理、適用性及敏感范圍進(jìn)行介紹。

   一些是直接的，也有一些是間接的。其中一組包括對測試晶圓和實(shí)際器件電性能的測量。它們測量了某些工藝對電性能的直接影響，比如離子注入。為了推斷出某一單獨(dú)的工藝參數(shù)控制，我們需要對幾個工藝的器件性能進(jìn)行測量。另一組是直接測量某些物理參數(shù)，例如層的厚度、寬度、成分和其他參數(shù)。這一組包括缺陷的檢測。第三組是測量晶圓內(nèi)和表面以及材料內(nèi)部的污染。

   毫不奇怪，測試和測量方法已經(jīng)隨著集成水平的提高和圖形尺寸的減小而發(fā)生了很大的改變。甚大規(guī)模集成電路( ULSI)技術(shù)正引導(dǎo)著在納米水平上的研究，被稱為納米分析時代( nanoanaly。i。era)。|。同時在線測試的成本也在七升。為優(yōu)化工藝參數(shù)，更大的晶圓和更高密度的電路都要求進(jìn)行更多的測試。大批量生產(chǎn)工藝要求做實(shí)時測試分析，以防止大批牛產(chǎn)晶圓報廢。ULSI電路的數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)通常包括在線統(tǒng)計分析和數(shù)據(jù)庫管理功能。