注入阱和傳統(tǒng)的阱
發(fā)布時(shí)間:2015/11/13 21:33:11 訪問次數(shù):1683
通過擴(kuò)散形成深阱技術(shù)要求大的熱預(yù)算，而這些NUD4011DR2G熱會(huì)加劇產(chǎn)生橫向擴(kuò)散問題和應(yīng)力問題�，F(xiàn)在，離子注入阱十分普及。另外，NUD4011DR2G用離子注入，可以控制阱在垂直方向上的摻雜，從而使晶片性能達(dá)到最優(yōu)化。所謂倒摻雜阱( retrograde well)是由一些高能離子的離子注入( MeV)形成的，可使阱的最下方有更高的摻雜濃度。與傳統(tǒng)的阱（見圖16. 45）形成方法相比，離子注入阱的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是工藝步驟較少。另外，因?yàn)镹阱和P阱是在同一個(gè)晶圓表面形成的，所以就可以省去平坦化這個(gè)步驟。在傳統(tǒng)的阱工藝中，晶片的表面是不平的，所以會(huì)造成景深的問題。
通過擴(kuò)散形成深阱技術(shù)要求大的熱預(yù)算，而這些NUD4011DR2G熱會(huì)加劇產(chǎn)生橫向擴(kuò)散問題和應(yīng)力問題。現(xiàn)在，離子注入阱十分普及。另外，NUD4011DR2G用離子注入，可以控制阱在垂直方向上的摻雜，從而使晶片性能達(dá)到最優(yōu)化。所謂倒摻雜阱( retrograde well)是由一些高能離子的離子注入( MeV)形成的，可使阱的最下方有更高的摻雜濃度。與傳統(tǒng)的阱（見圖16. 45）形成方法相比，離子注入阱的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是工藝步驟較少。另外，因?yàn)镹阱和P阱是在同一個(gè)晶圓表面形成的，所以就可以省去平坦化這個(gè)步驟。在傳統(tǒng)的阱工藝中，晶片的表面是不平的，所以會(huì)造成景深的問題。
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