雙極型和CMOS晶體管與它們各自電路的優(yōu)點匯集在Bi-MOS（或Bi-CMOS）電路中。 OL25TAD108圖16. 46所示的電路是和存儲器相關(guān)的雙極型、P溝道型和N溝道型晶體管（見第17章）。CMOS低功耗的特點被用在邏輯電路和存儲器電路中，雙極型電路速度高的特性則被用在信號電路中挖。這些電路體現(xiàn)了對工藝的極大挑戰(zhàn)：更大的芯片尺寸，更小的器件尺寸和大量的工藝步驟。

   絕緣體上硅隔離

   絕緣體上硅( SOI)技術(shù)是在形成CMOS和Bi-CMOS時，在絕緣襯底上淀積一層薄EPI外延層（見第12章）。消除電導(dǎo)性襯底可以將漏電流問題和閂鎖效應(yīng)問題最小化13J.

   片上系統(tǒng)

   創(chuàng)新通常是由新的需要驅(qū)動的。一種現(xiàn)行的半導(dǎo)體電路將自己進化到手持式無線器件爆發(fā)，例如，移動電話、智能電話和平板電腦，它們被稱為片上系統(tǒng)( System on a Chip，SoC)。這些器件是真正的計算機，并要求如此多功能卻只占據(jù)很小的空間。這些器件包括處理器、圖像接口、數(shù)據(jù)管理、無線連接性、存儲器等。幸運的是，微芯片制造工藝酌進步允許這些“百萬”級芯片被制造出來。

   減少空間的要求也已涉及到封裝層次。單芯片能被封裝的略比芯片本身大一點。新的三維封裝方法致力于將多個芯片封裝在一個封裝體內(nèi)（見第18章）。