CUM良品率(CUM yield)：參見制造良品率

   電流( current)：單位時DG444DY間內(nèi)通過給定點的帶電粒子數(shù)，曲線跟蹤儀( curve tracer)：電測儀器，，可以將器件的特性直觀顯示在屏幕化學(xué)氣相淀積(CVD)：淀積某些介質(zhì)層、導(dǎo)電層或半導(dǎo)體層的一種方法  含有需要淀積物質(zhì)Ii f的化學(xué)藥品與另一種化學(xué)品反應(yīng)，將所需材料釋放出來，并淀積在晶網(wǎng)r：  同時乍物（剮產(chǎn)：品）從反應(yīng)率去除。Czochralski晶體生長機(Czochralski crystal grower)：一種晶體牛長機，使用籽晶從熔融材料中拉出晶體暗場掩模版( dark field mask)：  ．種掩模版、圖形由掩模版卜的透明部分決定．深紫外線(DUV)：用來對光刻膠曝光的光源。，具有產(chǎn)生較小圖像寬度的優(yōu)點缺陷密度( defect density)：芯片j：每平方厘米的缺陷數(shù)脫水烘焙( dehydration baking)：  ．種加熱過程，使晶圓表嘶通過烘焙恢復(fù)到兀水狀。念，即農(nóng)【ti水分在升高的溫度卜．從晶圓表面蒸發(fā)去離子水(DI)：沒有溶解離子的工藝用水通常規(guī)格電阻率為t5~18 Mll,耗盡層( depletion layer)：半導(dǎo)體中的某種區(qū)域，其中兒乎所有載流f都在電場作用下被．¨出淀積( deposition)：通過化學(xué)反應(yīng)形成薄膜層的工藝過程材料在晶圓表面形成并覆蓋晶圓設(shè)計規(guī)則( design rule)：電路的最小元件尺寸顯影目檢( develop inspection)：光刻掩膜過程的第一步日檢。含對關(guān)鍵尺度的測量和缺陷日榆：通常會存顯影后或顯影及硬烘焙（如果有自動烘焙系統(tǒng)）后進(jìn)行，顯影( development)：光刻膠I：藝過程．，在經(jīng)過芯片制造r藝中的掩膜和曝光后，所確定的區(qū)域光刻膠被去除的過程，，