CMOS結(jié)構(gòu)
發(fā)布時(shí)間:2015/11/13 21:31:14 訪問(wèn)次數(shù):2056
隔離問(wèn)題，特別是對(duì)于CMOS結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，就是閂鎖效應(yīng)(latch up)。圖16. 43是芯片部分的橫截面圖。NUD4001DR2G并排的MOS晶體管組成橫向的雙極型晶體管(NPN)。在電路工作過(guò)程中，雙極型晶體管扮演一個(gè)放大器的角色，但這不是我們希望看到的，它可以把輸出增大到使存儲(chǔ)器單元不能切換的狀態(tài)。這就是閂鎖效應(yīng)。在這種狀況下，元器件對(duì)它的信息不能做出反應(yīng)。避免閂鎖效應(yīng)的一個(gè)辦法就是低電阻率的EPI外延層，這個(gè)外延層可以避開(kāi)雙極型晶體
管的發(fā)射極從而使其不能“開(kāi)”，從而達(dá)到防止閂鎖效應(yīng)的目的。
局部氧化隔離涉及閂鎖效應(yīng)。另一個(gè)解決辦法是用埋層來(lái)有效破壞橫向雙極型晶體管的加固良好的設(shè)計(jì).
隔離問(wèn)題，特別是對(duì)于CMOS結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，就是閂鎖效應(yīng)(latch up)。圖16. 43是芯片部分的橫截面圖。NUD4001DR2G并排的MOS晶體管組成橫向的雙極型晶體管(NPN)。在電路工作過(guò)程中，雙極型晶體管扮演一個(gè)放大器的角色，但這不是我們希望看到的，它可以把輸出增大到使存儲(chǔ)器單元不能切換的狀態(tài)。這就是閂鎖效應(yīng)。在這種狀況下，元器件對(duì)它的信息不能做出反應(yīng)。避免閂鎖效應(yīng)的一個(gè)辦法就是低電阻率的EPI外延層，這個(gè)外延層可以避開(kāi)雙極型晶體
管的發(fā)射極從而使其不能“開(kāi)”，從而達(dá)到防止閂鎖效應(yīng)的目的。
局部氧化隔離涉及閂鎖效應(yīng)。另一個(gè)解決辦法是用埋層來(lái)有效破壞橫向雙極型晶體管的加固良好的設(shè)計(jì).
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