溝道隔離：在MOS電路中，也用到NQ80332M667溝道隔離（見圖16. 40）。這個過程與形成溝道電容器的過程一樣。有的稱為淺溝槽隔離( shallow trench isolation)，就是解決由標(biāo)準(zhǔn)的局部氧化隔離帶來的“鳥嘴”問題。在這種結(jié)構(gòu)中，元器件之間用刻蝕的溝槽隔開，然后再在淺溝槽中填入介質(zhì)（參見圖16. 41）。在側(cè)壁氧化和填入介質(zhì)之后，用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的方法使晶圓表面平坦化。

   CMOS:互補(bǔ)型MOS( CMOS)是由N溝道晶體管和P溝道晶體管所組成的電路。在許多應(yīng)用中，CMOS變成r標(biāo)準(zhǔn)電路，CMOS使數(shù)字手表和袖珍計算器變成了現(xiàn)實。有的電路，若只用N溝道電路和P溝道電路，將需要好幾個芯片，但是若用CMOS則只需一個芯片就夠r，CMOS電路與其他電路相比，功耗更低．

   CMOS結(jié)構(gòu)（見圖16. 42）是先在晶圓表面形成的深P型阱里做N溝道晶體管，把N溝道晶體管做好之后，再做P溝道晶體管。晶體管的結(jié)構(gòu)是硅柵極或其他高級結(jié)構(gòu)。CMOS工藝應(yīng)用最先進(jìn)的技術(shù)，CMOS往設(shè)計方面，具有更小的尺寸、更高的密度、更高質(zhì)量的元器件，這些都會增加它與生俱來的優(yōu)點．