如何使“鳥嘴”達(dá)到最小，以降低NQ80331M500器件有源區(qū)的應(yīng)力，促使局部氧化隔離工藝產(chǎn)生了許許多多的變種。其中就包含由惠普公司開發(fā)的SWAMI（見圖16. 39）H…。這種工藝開始時與標(biāo)準(zhǔn)的局部氧化隔離工藝是一樣的。在淀積氮化硅和“墊子氧化層”之后，用定位敏感的刻蝕劑刻蝕出凹槽（或溝槽）。在(100>晶向的材料上，凹槽側(cè)壁墻成60。角，以減少硅應(yīng)力。、然后，再生長一層減緩應(yīng)力的氧化層( SRO)和提供共形覆蓋的氮化硅層。在刻蝕之前，再淀積一層由低壓氣相淀積而成的氧化層。這個氧化層是為了保護(hù)氮化硅，防止它被刻蝕掉[見圖16.39(c)]。最后再生長場氧化層(FOX)。氮化硅層的長度控制該“鳥嘴”的侵蝕。再去掉最初的氮化硅層和減緩應(yīng)力的氧化層以及第二層氮化硅，只留下比較平坦的晶片表面來做器件。通常情況下，局部氧化隔離設(shè)計包括有源區(qū)間的離子擴(kuò)散，為的是進(jìn)一步增加溝道停止能力。