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      Al中摻入少量的si

      發(fā)布時(shí)間:2016/6/14 20:47:05 訪問(wèn)次數(shù):940

          在純Al中加入少量的si形成Alsi合金材料,一般為1%(質(zhì)量比),可以在很 大程度上解決Al尖刺現(xiàn)象。EL5367IU但是它將引入另一個(gè)問(wèn)題,就是Si的析出問(wèn)題。即在合金退火過(guò)程中,一部分Si會(huì)溶解到A1中直至飽和,而剩余的Si將會(huì)以微粒的形式存在于Al中,冷卻時(shí),這些微粒⒏會(huì)成為析出沉積Si的核,并逐步增大成為一個(gè)個(gè)si單晶的結(jié)瘤。這會(huì)使結(jié)接觸電阻增大,另一方面會(huì)使鍵合變得困難。這就迫使人們?nèi)ふ倚碌慕饘倩Y(jié)構(gòu)。

         A丨-阻擋層結(jié)構(gòu)

         現(xiàn)在普遍使用的結(jié)構(gòu)為△/TiN/Al,△用做黏附層及接觸之用。在高溫下,△與si會(huì)形成一層電阻率極低的⒎si2。TiN起阻擋層用,它可有效地阻止Aysi間的互溶,防止了結(jié)穿通的發(fā)生。



          在純Al中加入少量的si形成Alsi合金材料,一般為1%(質(zhì)量比),可以在很 大程度上解決Al尖刺現(xiàn)象。EL5367IU但是它將引入另一個(gè)問(wèn)題,就是Si的析出問(wèn)題。即在合金退火過(guò)程中,一部分Si會(huì)溶解到A1中直至飽和,而剩余的Si將會(huì)以微粒的形式存在于Al中,冷卻時(shí),這些微粒⒏會(huì)成為析出沉積Si的核,并逐步增大成為一個(gè)個(gè)si單晶的結(jié)瘤。這會(huì)使結(jié)接觸電阻增大,另一方面會(huì)使鍵合變得困難。這就迫使人們?nèi)ふ倚碌慕饘倩Y(jié)構(gòu)。

         A丨-阻擋層結(jié)構(gòu)

         現(xiàn)在普遍使用的結(jié)構(gòu)為△/TiN/Al,△用做黏附層及接觸之用。在高溫下,△與si會(huì)形成一層電阻率極低的⒎si2。TiN起阻擋層用,它可有效地阻止Aysi間的互溶,防止了結(jié)穿通的發(fā)生。



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