Al/si接觸及其改進(jìn)
發(fā)布時(shí)間:2016/6/13 21:57:46 訪問次數(shù):1266
Al與⒐之間沒有硅化物形成,但可形成合金。Al在si中的溶解度十分低,但在Al中的溶解度卻十分高。 HCNR201-500E因此,當(dāng)Al與Si接觸時(shí),在退火過程中,就會(huì)有相當(dāng)可觀的⒏溶到Al中去。這將引起Al的尖刺現(xiàn)象,嚴(yán)重時(shí)會(huì)引起結(jié)短路,影響可靠性及成品率,如圖2.19所示。
圖2.19 鋁和硅之間反應(yīng)導(dǎo)致的結(jié)穿通
另外,襯底晶向?qū)獯痰男蚊矔?huì)產(chǎn)生影響,在(111)晶向,尖刺趨向橫向擴(kuò)展,而在(10ω晶向,尖刺趨向縱向擴(kuò)展;雙極電路采用(11D Si作為襯底,而在MOs電路中,為了減少界面態(tài)的影響而采用(100)si作為襯底。因此,尖刺現(xiàn)象在MOs電路中表現(xiàn)得尤為明顯。所以,必須對(duì)尖刺現(xiàn)象進(jìn)行改善。
Al與⒐之間沒有硅化物形成,但可形成合金。Al在si中的溶解度十分低,但在Al中的溶解度卻十分高。 HCNR201-500E因此,當(dāng)Al與Si接觸時(shí),在退火過程中,就會(huì)有相當(dāng)可觀的⒏溶到Al中去。這將引起Al的尖刺現(xiàn)象,嚴(yán)重時(shí)會(huì)引起結(jié)短路,影響可靠性及成品率,如圖2.19所示。
圖2.19 鋁和硅之間反應(yīng)導(dǎo)致的結(jié)穿通
另外,襯底晶向?qū)獯痰男蚊矔?huì)產(chǎn)生影響,在(111)晶向,尖刺趨向橫向擴(kuò)展,而在(10ω晶向,尖刺趨向縱向擴(kuò)展;雙極電路采用(11D Si作為襯底,而在MOs電路中,為了減少界面態(tài)的影響而采用(100)si作為襯底。因此,尖刺現(xiàn)象在MOs電路中表現(xiàn)得尤為明顯。所以,必須對(duì)尖刺現(xiàn)象進(jìn)行改善。
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