(1)用PECVD沉積內(nèi)層氧化硅到希EL5455IS望的厚度,這里沒有關(guān)鍵的間隙填充,因此PECVD是首選的制造工藝;

   (2)厚250A的Si3N4刻蝕阻擋層被沉積在內(nèi)層氧化硅上。Si3N4需要致密,沒有針孔,因此使用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(High Dcnsi~P1asma cVD,HDPCVD)法進行沉積;

   (3)光刻確定圖形、干法刻蝕通孔窗口進入阢N4中,刻蝕完成后去掉光刻膠;

   (4)為保留層間介質(zhì),進行PECVD氧化硅沉積;

   (5)光刻確定氧化硅槽圖形,帶膠,在確定圖形之前將通孔窗口放在槽里;

   (6)在層間介質(zhì)氧化硅中干法刻蝕溝道,停止在Si3N4層,穿過Si3N4層中的開口繼續(xù)刻蝕形成通孔窗口;

   (7)在槽和通孔的底部及側(cè)壁用離子化的PⅤD沉積鉭(%)和氮化鉭(TaN)擴散層;

   (8)用CVD沉積連續(xù)的銅種子層,種子層必須是均勻的并且沒有針孔;

   (9)用電化學(xué)沉積(ElectrOcllemicaI Dcposition,ECD)沉積銅填充,既填充通孔窗口也填充槽;

   (10)用CMP清除額外的銅,這一過程平坦化了表面并為下道工序做了準(zhǔn)各,最后的表面是金屬鑲嵌在介質(zhì)內(nèi),形成電路的平面結(jié)構(gòu)。