隨機缺陷
發(fā)布時間:2016/6/15 20:49:22 訪問次數(shù):1023
隨機缺陷――隨機缺陷定義為晶圓上性質(zhì)為隨機的缺陷。對于新一代產(chǎn)品,隨機缺陷將和今天遇到的相同,但缺陷的可容許尺寸將相應(yīng)縮小。 CY27C256-90WMB例如,對于250nm特征尺寸的電路,80nm的粒子在引起掩模針孔或刻蝕鼠咬(Mouse bitc)等情況下是可以承受的。但對于特征尺寸10Onm的生產(chǎn)來說,需要降低到40nm。對潔凈室、化學(xué)供應(yīng)、設(shè)備負載和現(xiàn)場工藝等要格外注意。
系統(tǒng)缺陷――系統(tǒng)缺陷定義為非隨機缺陷。系統(tǒng)缺陷會影響許多晶圓上空間叢集的芯片。隨著特征尺寸的下降,系統(tǒng)缺陷的容限會更小。而且大直徑晶圓的經(jīng)濟價值增加,會需要降低接受缺陷圓片的風(fēng)險。
由于系統(tǒng)缺陷的根源往往是各種工藝參數(shù)的復(fù)雜相互作用,因此還需要復(fù)雜的統(tǒng)計成品率分析方法。表3.1列出了缺陷類型和用于檢測它們的技術(shù)所發(fā)生的根本轉(zhuǎn)變。目前還沒有高速的生產(chǎn)檢驗工具可檢驗深窄通孔或溝道的底部。表3.2總結(jié)了缺陷表征技術(shù)的主要預(yù)期變化。
隨機缺陷――隨機缺陷定義為晶圓上性質(zhì)為隨機的缺陷。對于新一代產(chǎn)品,隨機缺陷將和今天遇到的相同,但缺陷的可容許尺寸將相應(yīng)縮小。 CY27C256-90WMB例如,對于250nm特征尺寸的電路,80nm的粒子在引起掩模針孔或刻蝕鼠咬(Mouse bitc)等情況下是可以承受的。但對于特征尺寸10Onm的生產(chǎn)來說,需要降低到40nm。對潔凈室、化學(xué)供應(yīng)、設(shè)備負載和現(xiàn)場工藝等要格外注意。
系統(tǒng)缺陷――系統(tǒng)缺陷定義為非隨機缺陷。系統(tǒng)缺陷會影響許多晶圓上空間叢集的芯片。隨著特征尺寸的下降,系統(tǒng)缺陷的容限會更小。而且大直徑晶圓的經(jīng)濟價值增加,會需要降低接受缺陷圓片的風(fēng)險。
由于系統(tǒng)缺陷的根源往往是各種工藝參數(shù)的復(fù)雜相互作用,因此還需要復(fù)雜的統(tǒng)計成品率分析方法。表3.1列出了缺陷類型和用于檢測它們的技術(shù)所發(fā)生的根本轉(zhuǎn)變。目前還沒有高速的生產(chǎn)檢驗工具可檢驗深窄通孔或溝道的底部。表3.2總結(jié)了缺陷表征技術(shù)的主要預(yù)期變化。
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