潔凈的圓片是芯片生產(chǎn)全過程中的基本要求,但并不是在每個(gè)高溫下的操作前都必須進(jìn)行晶圓表面清洗。OP262DRU-REEL一般情況下,全部工藝過程中高達(dá)20%的步驟為晶圓清洗。清洗工藝貫穿芯片生產(chǎn)的全過程。

   半導(dǎo)體工藝的發(fā)展過程可以說是清洗工藝隨著對(duì)無污染晶圓需求不斷增長而發(fā)展的過程。半導(dǎo)體器件制造過程中主要的環(huán)境污染源有微塵顆粒、重金屬離子、有機(jī)物殘留物和鈉離子等輕金屬離子�？蓺w納為四大常見類型,每一種在晶圓上體現(xiàn)為不同的問題,并可用不同的工藝去除:顆粒、有機(jī)殘余物、無機(jī)殘余物、需要去

除的氧化層。

   通常來說,晶圓清洗的工藝或一系列的工藝,必須在去除晶圓表面全部污染物(上述類型)的同時(shí),不會(huì)刻蝕或損害晶圓表面。它在生產(chǎn)配制上是安全的、經(jīng)濟(jì)的,是為業(yè)內(nèi)可接受的。通常對(duì)清洗工藝的設(shè)計(jì)適用于兩種基本的晶圓狀況。一種叫前端工序(Front End of Ⅱne,FEOL),特指那些形成有源電性部件之前的生產(chǎn)步驟。在這些步驟中,晶圓表面尤其是MOs器件的柵區(qū)域,是暴露的、極易受損

的。在這些清洗步驟中,一個(gè)極其關(guān)鍵的參數(shù)是表面粗糙度。過于粗糙的表面會(huì)改變器件的性能,損害器件上面沉積層的均勻性。表面粗糙度是以nm為單位的表面縱向變差的平方根。2000年的要求是0,15nm,但到2010年已降低到0,1nm以下。

   在FEOL的清洗工藝中,另外一個(gè)值得關(guān)注的方面是晶圓表面的電性條件。器件表面的金屬離子污染物改變電性特征,尤其是MOs傳感器極易受損。Na+連同F(xiàn)c、Ⅺ、Cu和Zn是典型的問題。清洗工藝必須將其濃度降至2,5×1r原子/cm2以下,從而達(dá)到器件需要。鋁和鈣在晶圓表面的含量同樣需要低于5×109原子/cm2的水平。